韩光
HMF2M32B4V
闪存ROM模块现象8字节（ 2Mx32Bit ） ， 72PIN -SO -DIMM ， 3.3V
设计
产品型号HMF2M32B4V
概述
该HMF2M32B4V是只读组织在存储器（ FROM ）含有4,194,304字模块高速闪存
x32bit配置。该模块由四个1M ×16从安装在一个72引脚SO -DIMM型，单 - 双面， FR4-
印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。主机系统可以检测到一个程序或
擦除操作完成，通过观察就绪引脚，或读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）状态位。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 3.0V直流电源供电，所有输入和输出都LVTTL-
兼容。
特点
w
访问时间： 70 ， 80 ， 90 ，为120ns
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
单+ 3.0V
±
0.5V电源
w
所有的输入/输出LVTTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
最低百万写入/擦除周期
w
部门架构删除
针
1
2
3
4
5
6
7
符号
VSS
/ RESET
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VCC
DQ7
/CE_1L
/CE_2L
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
引脚分配
符号
DQ15
NC
(/CE_4L)
NC
(/CE_3H)
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
VCC
DQ22
DQ23
/CE_1H
/CE_2H
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
针
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
DQ29
DQ30
DQ31
NC
NC
(/CE_4H)
NC
(/CE_3H)
A19
/ OE
/ WE
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
VCC
A9
针
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A20
NC
VSS
选项
w
定时
为70ns存取
80ns的访问
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SO -DIMM
记号
-70
-80
-90
-120
8
9
10
11
12
13
14
B
15
16
17
18
19
20
网址： www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
韩光科贸有限公司
韩光
真值表
模式
待机
未选择
读
写或擦除
注意：
X表示不关心
/ OE
X
H
L
X
/ CE
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ RESET
Vcc±0.3V
H
H
H
HMF2M32B4V
DQ （ /字节= L ）
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
参数
电压相对于地所有其他引脚
电压相对于地的Vcc
储存温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
T
英镑
等级
-0.5V到VCC + 0.5V
-0.5V至+ 4.0V
-65oC至+ 150℃
工作温度
T
A
-55℃ + 125摄氏度
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
在本说明书的操作部是不我mplied 。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
VCC为
±
10 ％的设备电源电压
地
符号
VCC
V
SS
民
2.7V
0
0
典型值。
最大
3.6V
0
DC和工作特性
（ 0℃
≤
TA
≤
70 ℃）
参数
输入负载电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
VCC读操作工作电流（ 1 ）
/ OE = V
IH
,
VCC主动写电流（ 2 ）
VCC待机电流
低VCC锁定电压
注意事项：
1.上市ICC流通常比2毫安/ MHz的少，与/ OE在V
IH
.
2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中
3.最大电流Icc电流规格与测试的Vcc = VCC最大
/ CE = V
IL
， / OE = V
IH
/ CE， /RESET=Vcc±0.3V
1MHZ
I
CC2
I
CC3
V
LKO
2.3
测试条件
VCC = VCC最大值，V
IN
= GND到Vcc
VCC = VCC最大值，V
OUT
= GND到Vcc
I
OH
= -2.0mA ， VCC = VCC最小值
I
OL
= 4.0毫安， VCC = VCC最小值
/ CE = V
IL
,
5MHZ
I
CC1
4
40
8
60
60
2.5
mA
mA
V
符号
I
L1
I
L0
V
OH
V
OL
18
2.4
0.45
32
mA
民
最大
±1.0
±1.0
单位
A
A
V
V
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HMF2M32B4V
闪存ROM模块现象8字节（ 2Mx32Bit ） ， 72PIN -SO -DIMM ， 3.3V
设计
产品型号HMF2M32B4V
概述
该HMF2M32B4V是只读组织在存储器（ FROM ）含有4,194,304字模块高速闪存
x32bit配置。该模块由四个1M ×16从安装在一个72引脚SO -DIMM型，单 - 双面， FR4-
印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。主机系统可以检测到一个程序或
擦除操作完成，通过观察就绪引脚，或读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）状态位。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 3.0V直流电源供电，所有输入和输出都LVTTL-
兼容。
特点
w
访问时间： 70 ， 80 ， 90 ，为120ns
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
单+ 3.0V
±
0.5V电源
w
所有的输入/输出LVTTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
最低百万写入/擦除周期
w
部门架构删除
针
1
2
3
4
5
6
7
符号
VSS
/ RESET
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VCC
DQ7
/CE_1L
/CE_2L
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
引脚分配
符号
DQ15
NC
(/CE_4L)
NC
(/CE_3H)
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
VCC
DQ22
DQ23
/CE_1H
/CE_2H
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
针
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
DQ29
DQ30
DQ31
NC
NC
(/CE_4H)
NC
(/CE_3H)
A19
/ OE
/ WE
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
VCC
A9
针
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A20
NC
VSS
选项
w
定时
为70ns存取
80ns的访问
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SO -DIMM
记号
-70
-80
-90
-120
8
9
10
11
12
13
14
B
15
16
17
18
19
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真值表
模式
待机
未选择
读
写或擦除
注意：
X表示不关心
/ OE
X
H
L
X
/ CE
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ RESET
Vcc±0.3V
H
H
H
HMF2M32B4V
DQ （ /字节= L ）
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
参数
电压相对于地所有其他引脚
电压相对于地的Vcc
储存温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
T
英镑
等级
-0.5V到VCC + 0.5V
-0.5V至+ 4.0V
-65oC至+ 150℃
工作温度
T
A
-55℃ + 125摄氏度
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
在本说明书的操作部是不我mplied 。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
VCC为
±
10 ％的设备电源电压
地
符号
VCC
V
SS
民
2.7V
0
0
典型值。
最大
3.6V
0
DC和工作特性
（ 0℃
≤
TA
≤
70 ℃）
参数
输入负载电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
VCC读操作工作电流（ 1 ）
/ OE = V
IH
,
VCC主动写电流（ 2 ）
VCC待机电流
低VCC锁定电压
注意事项：
1.上市ICC流通常比2毫安/ MHz的少，与/ OE在V
IH
.
2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中
3.最大电流Icc电流规格与测试的Vcc = VCC最大
/ CE = V
IL
， / OE = V
IH
/ CE， /RESET=Vcc±0.3V
1MHZ
I
CC2
I
CC3
V
LKO
2.3
测试条件
VCC = VCC最大值，V
IN
= GND到Vcc
VCC = VCC最大值，V
OUT
= GND到Vcc
I
OH
= -2.0mA ， VCC = VCC最小值
I
OL
= 4.0毫安， VCC = VCC最小值
/ CE = V
IL
,
5MHZ
I
CC1
4
40
8
60
60
2.5
mA
mA
V
符号
I
L1
I
L0
V
OH
V
OL
18
2.4
0.45
32
mA
民
最大
±1.0
±1.0
单位
A
A
V
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