4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
包
H11A617系列
H11A817系列
H11AA814原理图
1
4珍藏
4
2
3发射器
1
描述
该H11AA814系列由两个砷化镓红外发光二极管，
反向并联，驱动单个硅光电晶体管在一个4针
双列直插式封装。
该H11A617和H11A817系列由砷化镓红外
发光二极管驱动硅光电晶体管的4脚双列直插式封装。
H11A617 & H11A817原理图
阳极1
4珍藏
特点
紧凑型4 -pin的封装
在选定组电流传输率：
H11AA814 ： 20-300 ％
H11A817 ：
H11AA814A ： 50-150 ％
H11A817A ：
H11A617A ： 40 ％-80％的
H11A817B ：
H11A617B ： 63％ -125 ％
H11A817C ：
H11A617C ： 100 ％ -200 ％
H11A817D ：
H11A617D ： 160 ％ -320 ％
最小BV
首席执行官
70V的保证
50-600%
80-160%
130-260%
200-400%
300-600%
阴极2
3发射器
应用
H11AA814系列
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
H11A617和H11A817系列
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
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4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗（ -55°C至50 ° C）
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗（ 25 ° C的环境）
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
探测器功耗（ 25 ° C的环境）
减免上述25℃
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
D
所有
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
所有
所有
70
6
7
6
50
150
2.0
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
所有
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
所有
所有
50
6
5
1.0
100
1.33
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
200
°C
°C
°C
mW
H11A617系列
符号
设备
H11A817系列
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
测试条件符号
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 20 mA）的
(I
F
= -20毫安）
(V
R
= 6.0 V)
(V
R
= 5.0 V)
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
I
R
V
F
设备
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
民
典型*
1.35
1.2
1.2
.001
最大
1.65
1.5
1.5
10
A
V
单位
BV
首席执行官
BV
ECO
所有
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
H11AA814 / A ， H11A817 / A / B / C / D ，
H11A617C/D
H11A617A/B
所有
70
6
7
6
100
V
10
V
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
*在T典型值
A
= 25°C.
(V
CE
= 10V ，我
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
I
首席执行官
C
CE
1
8
100
50
nA
pF
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光电耦合器
H11AA814系列
H11A617系列
H11A817系列
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
符号
设备
H11AA814
H11AA814A
H11A617A
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
电流传输
比
(I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A817
CTR
H11A817A
H11A817B
H11A817C
H11A817D
H11A617A
(I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
上升时间
下降时间
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
t
r
t
f
所有
所有
2.4
2.4
18
18
s
s
(I
C
= 1毫安，我
F
= -20毫安）
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 1毫安，我
F
= 20 mA）的
H11AA814/A
V
CE （SAT）
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
民
20
50
40
63
100
160
50
80
130
200
300
13
22
34
56
0.2
0.4
0.2
V
典型*
最大
300
150
80
125
200
320
600
160
260
400
600
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
隔离特性
特征
输入输出隔离电压（注3 ）
绝缘电阻
隔离电容
*在T典型值
A
= 25°C.
笔记
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.对于测试电路的设置和波形，请参阅图8 。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
测试条件
F = 60Hz的， T = 1分
(V
我-O
= 500 VDC）
(V
我-O
= 0中，f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
10
11
0.5
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
pf
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