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分立半导体
数据表
OK , halfpage
M3D168
BYG60系列
快速软恢复
控制雪崩整流器
初步speci fi cation
在分离式半导体文件, SC01
1996年6月05
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
保证雪崩能量
吸收能力
UL 94V -O塑料分类
运12毫米压纹带。
顶视图
手册中, 4列
BYG60系列
该明确定义的无空隙的情况下的一个
传递模塑热硬化
塑料。
描述
DO- 214AC表面贴装
封装玻璃钝化芯片。
阴极
BAND
a
k
SIDE VIEW
MSA474
Fig.1简化外形( DO- 214AC ; SOD106 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
RRM
BYG60D
BYG60G
BYG60J
BYG60K
BYG60M
V
R
连续反向电压
BYG60D
BYG60G
BYG60J
BYG60K
BYG60M
I
F( AV )
平均正向电流
平均超过任何20毫秒的时间;
T
tp
= 100
°C;
见图2
平均超过任何20毫秒的时间;
Al
2
O
3
印刷电路板安装(见图7) ;
T
AMB
= 60
°C;
看科幻G.3
平均超过任何20毫秒的时间;
环氧印刷电路板安装(见图7) ;
T
AMB
= 60
°C;
看科幻G.3
I
FSM
非重复峰值正向电流
T = 10 ms半正弦波;
T
j
= T
j max的情况
前激增;
V
R
= V
RRMmax
200
400
600
800
1000
1.90
0.90
V
V
V
V
V
A
A
参数
反向重复峰值电压
200
400
600
800
1000
V
V
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
0.65
A
25
A
1996年6月05
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
符号
E
RSM
参数
非重复性峰值反向
雪崩能量
BYG60D到J
BYG60K和M
T
英镑
T
j
储存温度
结温
见图4
条件
L = 120 mH的;牛逼
j
= T
j max的情况
之前
浪涌;感性负载断开
65
65
BYG60系列
分钟。
马克斯。
单位
10
7
+175
+175
mJ
mJ
°C
°C
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
V
( BR )R
参数
正向电压
反向雪崩
击穿电压
BYG60D
BYG60G
BYG60J
BYG60K
BYG60M
I
R
反向电流
V
R
= V
RRMmax
;
见图6
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°C;
见图6
t
rr
反向恢复时间
BYG60D到J
BYG60K和M
C
d
二极管电容
BYG60D到J
BYG60K和M
从我开机时,
F
= 0.5 A至
I
R
= 1 ;在我测
R
= 0.25 A;
参见图8
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
30
25
pF
pF
条件
I
F
= 1 ;牛逼
j
= T
j max的情况;
见图5
I
F
= 1 ;见图5
I
R
- 0.1毫安
300
500
700
900
1100
5
100
V
V
V
V
V
A
A
分钟。
典型值。
马克斯。
0.98
1.20
V
V
单位
250
300
ns
ns
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
注2
笔记
1.装置安装在铝
2
O
3
印刷电路板, 0.7mm厚;铜的厚度
≥35 m,
见图7 。
2.设备安装在环氧玻璃印刷电路板, 1.5mm厚;铜的厚度
≥40 m,
见图7 。
欲了解更多信息,请参阅
“总则手册SC01的” 。
条件
价值
25
100
150
单位
K / W
K / W
K / W
1996年6月05
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
图形数据
MGD481
BYG60系列
MGD482
手册, halfpage
4
手册, halfpage
1.6
IF ( AV )
(A)
3
IF ( AV )
(A)
1.2
2
0.8
1
0.4
0
0
100
TTP ( ° C)
200
0
0
100
TAMB ( ° C)
200
V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5; a = 1.57.
V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5; a = 1.57
设备安装,如图7所示;
实线:铝
2
O
3
印刷电路板;虚线:环氧树脂印刷电路板。
Fig.2
最大允许正向平均
当前,作为扎点温度的函数
(包括因损失反向漏) 。
Fig.3
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
(包括因损失反向漏) 。
MGD483
200
手册, halfpage
Tj
(°C)
160
MGD484
10
手册, halfpage
IF
(A)
8
120
6
80
D
40
G
J
K
M
4
2
0
0
400
800
VR ( V)
1200
0
0
1
2
VF ( V)
3
设备安装,如图7所示
实线:铝
2
O
3
PCB
虚线:环氧树脂印刷电路板。
实线:T已
j
= 25
°C.
虚线:T已
j
= 175
°C.
Fig.4
最大允许结温
作为反向电压的函数。
Fig.5
正向电流为正向功能
电压;最大值。
1996年6月05
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
快速软恢复
控制雪崩整流器器
BYG60系列
10
3
手册, halfpage
IR
(A)
10
2
MGC532
50
4.5
50
10
2.5
1
0
100
TJ ( C)
o
200
1.25
MSB213
V
R
= V
RMMmax
.
尺寸(mm) 。
材质: AL
2
O
3
或环氧玻璃等。
Fig.6
反向电流交界处的函数
温度;最大值。
Fig.7
印刷电路板进行表面安装。
手册,全页宽
DUT
+
IF
(A)
0.5
1
吨RR
10
25 V
50
0
0.25
0.5
IR
(A)
1
t
MAM057
输入阻抗示波器: 1 MΩ , 22 pF的;吨
r
7纳秒。
源阻抗: 50
;
t
r
15纳秒。
图8测试电路和反向恢复时间波形和定义。
1996年6月05
5
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