BT151-500R
SCR ， 12 A， 15毫安， 500 V， SOT78
牧师05 - 2009年3月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化SCR （可控硅）在SOT78塑料包装。
1.2特点和优点
高可靠性
高浪涌电流能力
高的热循环性能
1.3应用
点火电路
电机控制
保护电路
静态开关
1.4快速参考数据
表1中。
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
快速参考
条件
民
-
半正弦波;
T
mb
≤
109 ℃;看
科幻gure 3
半正弦波;
T
mb
≤
109 ℃;看
图1 ;
SEE
图2
V
D
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
I
T
= 100毫安;看
图8
-
-
典型值
-
-
-
最大
500
7.5
12
单位
V
A
A
重复峰值
断态电压
平均态
当前
RMS通态
当前
符号参数
静态特性
I
GT
门极触发电流
-
2
15
mA
恩智浦半导体
BT151-500R
SCR ， 12 A， 15毫安， 500 V， SOT78
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
K
A
G
mb
管脚信息
符号
描述
阴极
阳极
门
阳极
mb
A
G
sym037
简化的轮廓
图形符号
K
1 2 3
SOT78
（ TO- 220AB ， SC- 46 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
BT151-500R
TO-220AB;
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
SC-46
TO-220AB
BT151-500R_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
BT151-500R
SCR ， 12 A， 15毫安， 500 V， SOT78
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
V
RRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
T
英镑
T
j
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
平均态
当前
RMS通态电流
对国家崛起的速度
当前
栅极峰值电流
峰值功率门
储存温度
结温
非重复性峰值
通态电流
的I2t的融合
平均功耗门
反向峰值门
电压
半正弦波;牛逼
p
= 8.3毫秒;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C
半正弦波;牛逼
p
= 10毫秒;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;看
图4 ;
SEE
图5
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
在任何20毫秒期
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 ℃;看
科幻gure 3
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 ℃;看
图1 ;
SEE
图2
I
T
= 20 A;我
G
= 50毫安;的dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-
-
-
-
-
最大
500
500
7.5
12
50
2
5
150
125
132
120
72
0.5
5
单位
V
V
A
A
A / μs的
A
W
°C
°C
A
A
A
2
s
W
V
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
I
2
t
P
G（ AV ）
V
RGM
25
I
T（ RMS ）
(A)
20
001aaa954
16
I
T（ RMS ）
(A)
12
001aaa999
15
8
10
4
5
0
10
2
10
1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
50
0
50
100
T
mb
(°C)
150
图2 。
图1 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
通态电流有效值作为安装的功能
基础体温;最大值
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恩智浦半导体
BT151-500R
SCR ， 12 A， 15毫安， 500 V， SOT78
15
P
合计
(W)
1.9
2.2
10
4
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
0
0
2
4
6
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
2.8
003aab830
a = 1.57
5
α
8
I
T（ AV ）
(A)
图3 。
10
3
总功耗为平均通态电流的功能;最大值
001aaa956
I
TSM
(A)
dl
T
/ dt限制
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
10
10
5
10
4
10
3
t
p
(s)
10
2
图4 。
非重复性峰值通态电流脉冲宽度为正弦电流的功能;最大值
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恩智浦半导体
BT151-500R
SCR ， 12 A， 15毫安， 500 V， SOT78
160
I
TSM
(A)
120
003aab829
80
I
T
I
TSM
40
t
t
p
T
j
初始= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
图5 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
1.3
单位
K / W
自从看到热阻
图6
路口安装
BASE
从热阻
结到环境的自由
空气
R
号（j -a）的
-
60
-
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
001aaa962
1
10
1
P
δ
=
t
p
T
10
2
t
p
T
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结点作为脉冲宽度的函数的瞬态热阻抗安装基座
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
BT151系列
概述
在一个塑料玻璃钝化可控硅
包络线，用于在使用中
应用
需要
高
双向
闭塞
电压
能力和高的热循环
性能。典型应用
包括电机控制，工业和
国内的照明，供暖和静
切换。
快速参考数据
符号
V
DRM
,
V
RRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BT151-
重复峰值断态
电压
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500R
500
7.5
12
100
650R
650
7.5
12
100
800R
800
7.5
12
100
V
A
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
阴极
阳极
门
阳极
引脚配置
TAB
符号
a
k
1 23
g
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
参数
条件
分钟。
-
半正弦波;牛逼
mb
≤
109 C
所有的导通角
半正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 50毫安;
dI
G
/ DT = 50毫安/微秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
-500R -650R -800R
500
1
650
1
800
7.5
12
100
110
50
50
2
5
5
5
0.5
150
125
单位
V
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
V
W
W
C
C
V
DRM
, V
RRM
重复峰值断态
电压
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
V
RGM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
在任何20毫秒期
储存温度
工作结
温度
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可能晶闸管
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
BT151系列
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
半导体
BT151系列
晶闸管
特征
玻璃钝化可控硅在一个塑料TO220封装。
它们被设计用于在要求高的应用
双向阻断电压能力和较高的热
循环性能。
典型应用包括电机控制，工业和
国内的照明，供暖和静态开关
.
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
价值
BT151-500R BT151-650R BT151-800R
V
DRM
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
P
GM
PG
（AV）
T
英镑
T
j
重复峰值断态
电压
反向重复峰值
电压
RMS通态电流
平均
导通状态
当前
导通非重复性峰值
目前状态
峰值功率门
平均功耗门
存储
温度
范围
操作
连接点
温度
500
500
650
650
12
7.5
100
5
0.5
-45至+150
110
800
V
800
A
A
A
W
W
°C
°C
符号
评级
单位
热特性
符号
R
j - MB
R
θJA
评级
热阻结到安装底座
热阻结到环境
价值
≤
1.3
≤
60
单位
° C / W
26/09/2012
半导体COMSET
1|3
半导体
BT151系列
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
主终端1
主终端2
门
主终端2
修订后的2012年8月
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26/09/2012
半导体COMSET
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3|3
QQ：2880707522 复制
