SMD型
NPN硅外延型晶体管
BSP19A
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
晶体管
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
高电压： V
（ BR ） CEO
250和350伏。
采用12毫米磁带和卷轴
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极 - 基极电压（发射极开路）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流（ DC ）
总功率耗散@ TA = 25 *
减免上述25
存储温度范围
结温
热阻结到环境
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
T
英镑
T
J
R
θJA
T
L
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
等级
350
400
5
1000
0.8
6.4
-65到150
150
156
260
10
美国证券交易委员会
/W
单位
V
V
V
mA
瓦
毫瓦/
*设备安装在FR-4玻璃环氧利用最小推荐的足迹印刷电路板。
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
直流电流增益*
电流增益 - 带宽积*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
*脉冲测试：脉冲宽度
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
Testconditons
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ， F = 5.0 MHz的
I
C
= 50 mA时，我
B
= 4.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 4.0毫安
40
70
0.5
1.3
兆赫
V
V
民
350
20
10
典型值
最大
单位
V
nA
mA
300 ，占空比= 2.0 ％
记号
记号
SP19A
+0.15
1.65
-0.15
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
BSP19A
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
高电压： V
（ BR ） CEO
250和350伏。
采用12毫米磁带和卷轴
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极 - 基极电压（发射极开路）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流（ DC ）
总功率耗散@ TA = 25 *
减免上述25
存储温度范围
结温
热阻结到环境
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
T
英镑
T
J
R
θJA
T
L
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
等级
350
400
5
1000
0.8
6.4
-65到150
150
156
260
10
美国证券交易委员会
/W
单位
V
V
V
mA
瓦
毫瓦/
*设备安装在FR-4玻璃环氧利用最小推荐的足迹印刷电路板。
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
直流电流增益*
电流增益 - 带宽积*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
*脉冲测试：脉冲宽度
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
Testconditons
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ， F = 5.0 MHz的
I
C
= 50 mA时，我
B
= 4.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 4.0毫安
40
70
0.5
1.3
兆赫
V
V
民
350
20
10
典型值
最大
单位
V
nA
mA
300 ，占空比= 2.0 ％
记号
记号
SP19A
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.15
1.65
-0.15
10F中1
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