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分立半导体
数据表
BLV897
超高频推挽功率晶体管
初步speci fi cation
取代1997年的数据10月3日
1997年11月10日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
超高频推挽功率晶体管
特点
内部输入匹配的最佳宽带
能力和高增益
多晶硅发射极镇流电阻器的最佳
温度曲线
镀金保证了出色的可靠性。
应用
在基站共射AB类操作
在800 960 MHz频段。
手册， halfpage
BLV897
钉扎 - SOT324B
针
1
2
3
4
5
符号
c1
c2
b1
b2
e
描述
集热器1
器2
基地1
基地2
连接到公共发射极
轮缘
c1
2
b1
e
5
b2
描述
在推挽两节NPN硅平面晶体管
配置。该设备被封装在一个SOT324B
4引脚方形法兰封装用陶瓷帽。
公共发射极连接到所述凸缘。
1
3
顶视图
4
c2
MAM217
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极推挽测试电路。
的模式
手术
CW ， AB类
2音， AB类
f
（兆赫）
900
900
V
CE
(V)
24
24
I
CQ
（MA ）
2
×
80
2
×
80
P
L
(W)
30
30 （ PEP ）
G
p
（ dB）的
≥10
≥11
η
C
(%)
≥45
≥35
d
3
（ DBC）
<-32 ; （典型值） 。
37
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1997年11月10日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
超高频推挽功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ AV ）
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.总的设备;这两部分同样装载。
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
记
1.总的设备;这两部分同样装载。
特征
值适用于任一晶体管部;牛逼
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
C
c
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极漏电流
直流电流增益
集电极电容
条件
I
C
= 15毫安;我
E
= 0
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
I
E
= 0.6毫安;我
C
= 0
V
CB
= 28 V; V
BE
= 0
V
CE
= 10 V ;我
C
= 1 A
分钟。
70
30
3
30
典型值。
18
参数
条件
价值
1.79
0.4
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
平均集电极电流
总功耗
储存温度
工作结温
T
mb
= 25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
分钟。
BLV897
马克斯。
70
30
3
5
5
97
+150
200
V
V
V
A
A
W
单位
°C
°C
单位
K / W
K / W
从结热阻安装基座P
合计
= 97瓦;注1
从安装基座热阻散热器注1
马克斯。
1.5
120
单位
V
V
V
mA
pF
V
CB
= 24 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
1997年11月10日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
超高频推挽功率晶体管
应用信息
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极推挽AB类测试电路。
的模式
手术
CW ， AB类
2音， AB类
f
（兆赫）
900
900
V
CE
(V)
24
24
I
CQ
（MA ）
2
×
80
2
×
80
P
L
(W)
30
30 （ PEP ）
G
p
（ dB）的
≥10
≥11
η
C
(%)
≥45
≥35
BLV897
d
3
（ DBC）
<-32 ; （典型值） 。
37
坚固耐用的AB类操作
该BLV897是能够承受相应的VSWR = 5的负载失配：通过在各个阶段1
条件： V
CE
= 24 V ;我
CQ
= 2
×
80毫安; F = 900 MHz的;牛逼
h
= 25
°C;
P
L
= 30 W的晶体管也能够
承受相应的VSWR = 10的负载不匹配：通过各个阶段的第1页
L
= 30 W（ PEP ） 。
手册， halfpage
50
MBK287
PL
(W)
40
手册， halfpage
G
14
MBK286
p
（ dB）的
12
70
η
C
(%)
60
50
Gp
10
30
η
C
8
6
4
10
2
0
0
1
2
3
4
5
6
PD （W）的
0
0
10
20
30
40
PL （W）的
40
30
20
10
0
50
20
V
CE
= 24 V ;我
CQ
= 2
×
80毫安; F = 900兆赫。
V
CE
= 24 V ;我
CQ
= 2
×
80毫安; F = 900兆赫。
Fig.2
负载功率为驱动电源的功能;
典型值。
Fig.3
功率增益和集电极英法fi效率为
负载功率的功能;典型值。
1997年11月10日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
超高频推挽功率晶体管
BLV897
手册，全页宽
L12
VBB
R3
C8
L16
R6
C24
+V
CC
C22
C6
R1
C10
C12
C14
C16
C18
C20
输入
50
,,,,
,,,,
,,,,
,, ,,,,
,, ,,,,
,,,,
,,,,
,,,,
,,,,
L14
L10
L8
L6
L1
C1
L4
L2
C4
C3
C2
L3
L5
L7
L9
L11
L15
C5
R2
C9
C11
C13
C15
L13
C7
L20
DUT
L21
,,,,
,,,,
,,,,,,
,,,,
,,,,,,
,,,,
,,,,
,,,,
L18
L22
L24
L26
C28
L28
L29
C25
C27
C26
C29
L25
L27
L30
L23
L19
C19
R5
C21
+V
CC
L17
C23
MGM146
产量
50
C17
VBB
R4
图4 AB类测试电路在900MHz 。
1997年11月10日
5
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