BCD
RTD
百毫安硅盒RECTIFIERS
小尺寸的模压封装
PRV 8000到60000伏
快速恢复（ RTD系列）
低漏
EDI类型
数
PEAK
Reve酒店RSE V olta GE
PRV （V OLTS ）
马克斯。正向电压
o
滴，在25℃和100mA
V
F
（卷TS ）
冷日L
图。 3
BC D08
BC D10
BC D12
BC D15
BC D20
BC D25
BC D30
BC D35
BC D40
BC D45
BC D50
BC D60
RTD08
RTD10
RTD12
RTD15
RTD20
RTD25
RTD30
RTD35
RTD40
RTD45
RTD50
RTD60
标准恢复
8, 000
13
10,0 00
13
12,0 00
13
15,0 00
20
20,0 00
26
33
25,000
30,0 00
40
35,0 00
46
40,0 00
53
45,0 00
60
50,0 00
66
60,0 00
73
200 -n的OSE有限公司ND EC OVE RY （F IG 0.4 ）
8, 000
20
10,0 00
20
12,0 00
20
15,0 00
30
20,0 00
40
25,0 00
50
30,0 00
60
35,0 00
70
40,0 00
80
45,0 00
90
50,0 00
100
60,0 00
110
BCD系列
标准
恢复
1. 00
1. 00
1. 00
1. 63
2. 13
2. 63
3. 13
3. 63
4. 13
4. 63
5. 13
6. 13
1. 00
1. 00
1. 00
1. 63
2. 13
2. 63
3. 13
3. 63
4. 13
4. 63
5. 13
6.13
RTD系列
快
恢复
电气特性
（在T
A
= 25℃ ，除非另有规定）
o
马克斯。 DC反向电流@ PRV和25℃ ，我
R
电气特性
（在T
A
= 25℃ ，除非另有规定）
马克斯。 DC反向电流@ PRV和25℃ ，我
R
o
2
100
A
A
2
A
马克斯。 DC反向电流@ PRV和100 C，I
R
工作环境温度范围，T
A
o
o
马克斯。 DC反向电流@ PRV和100 C，I
R
100
A
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+150
o
C
10安培
3安培
马克斯。反向恢复时间，T
rr
(Fig.4)
200纳秒
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+150
o
C
10安培
3安培
存储温度范围，T
英镑
Max.One半个周期浪涌电流，I
FM
（浪涌） @ 60Hz的
正向电流重复峰值，我
FRM
工作环境温度范围，T
A
存储温度范围，T
英镑
Max.One半个周期浪涌电流，I
FM
（浪涌） @ 60Hz的
正向电流重复峰值，我
FRM
EDI保留随时修改这些参数，恕不另行通知。
BCD
FIG.1
输出电流与环境温度
％额定电流FWD
100
100
RTD
FIG.2
不重复浪涌电流额定值
0.1SEC
1.0SEC
75
50
％最大浪涌
0
25
50
75
100
(
O
C)
75
50
25
25
0
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7 8 9 10
20
30
40 50 60
环境温度
周期（ 60赫兹）
FIG.3
包装样式
.030
.033
DIA 。
_
L + .02
1.0分钟。
0.39 MAX 。 DIA 。
以英寸所有尺寸
最大的铅和终端温度为焊接， 3月8日英寸的情况下， 5秒250
O
C
测试电路
FIG.4
典型的反向恢复波形
T
RR
R1
50 OHM
D.U.T.
脉冲
发电机
R2
1欧姆
范围
+
150mA
零
参考
-
300mA
75毫安
R
1,
R
2无感电阻器
脉冲发生器 - HEWLETT PACKARD 214A或当量
IKC REP.RA
TE中， 10秒。脉冲宽度
调整脉冲幅度峰值我
R
在装配前单独测量整流器的反向恢复时间。
电子器件，INC。的
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