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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第756页 > BPV23NF
BPV23NF(L)
威世德律风根
硅PIN光电二极管
描述
BPV23NF (L)是一个高速和高灵敏度的PIN码
光电二极管在一个塑料封装具有球形侧
视图镜头。
环氧封装本身是一个红外滤光片,光谱
匹配的GaAs上的GaAlAs红外GaAs和GaAlAs的
发射器(
l
p
= 950纳米,S
REL
(
l
= 875纳米) > 90%)。
镜头半径和芯片位置完美匹配
芯片的尺寸,而不给予高灵敏度
影响视角。
与扁平封装球面镜片比较
包实现了80 %的灵敏度改善。
94 8633
特点
D
D
D
D
D
D
D
大辐射敏感区( A = 5.7毫米
2
)
广视角
=
±
60
°
提高了灵敏度
快速的响应时间
低结电容
塑料封装的通用红外滤镜
选择“L” :长引线封装可供选购
用后缀“L” ;例如: BPV23FL
应用
红外遥控和自由的空气传输系统结合红外发射器二极管
( TSU.- , TSI.- ,或TSH.系列) 。高灵敏度的检测器,用于高数据速率的传输系统。
红外滤镜完美匹配,在830纳米至880纳米的波长范围内的高速红外发射器。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
t
x
5s
文档编号81513
第3版, 16 -NOV- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
BPV23NF(L)
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
y
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
m
A,E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 870纳米,V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米,V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
l
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
l
= 950 nm的
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(
l
)
s(
l
)
60
2
48
900
390
–2.6
65
65
0.1
0.57
0.60
±60
940
790...1050
90
4x10
–14
5x10
12
70
70
4
1
30
典型值
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
W
45
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz /
W
ns
ns
兆赫
兆赫
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
l
= 950 nm的
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
探测
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
下降时间
截止频率
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 950 nm的
l
p
l
0.5
h
t
r
t
f
f
c
f
c
NEP
D
*
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2 (6)
文档编号81513
第3版, 16 -NOV- 99
BPV23NF(L)
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明)
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
I
ro
- 反向暗电流( NA)
100
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
l
=950nm
100
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
10
10
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
94 8425
1
10
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向暗电流与环境温度
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
图4.反向光电流与反向电压
80
C
D
- 二极管电容(pF )
1.2
V
R
=5V
l
=950nm
60
E=0
f=1MHz
1.0
40
0.8
20
0.6
0
94 8409
0
20
40
60
80
100
94 8423
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图2.相对反向光电流与
环境温度
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
图5.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
94 8426
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
100
10
1
V
R
=5V
l
=950nm
0.1
0.01
94 8424
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐射(毫瓦/平方厘米
2
)
l
- 波长(nm )
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
文档编号81513
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BPV23NF(L)
威世德律风根
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94 8413
图7.相对辐射灵敏度对比
角位移
尺寸BPV23NF单位mm
95 11475
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文档编号81513
第3版, 16 -NOV- 99
BPV23NF(L)
威世德律风根
尺寸BPV23NFL单位mm
9612205
文档编号81513
第3版, 16 -NOV- 99
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5 (6)
BPV23NF(L)
威世半导体
硅PIN光电二极管
描述
BPV23NF (L)是一个高速和高灵敏度的PIN码
光电二极管在一个塑料封装具有球形侧
视图镜头。
环氧封装本身是一个红外滤光片,光谱
匹配的GaAs上的GaAlAs红外GaAs和GaAlAs的
发射器( λ
p
= 950纳米,S
REL
( λ = 875纳米) > 90%)。
镜头半径和芯片位置是完全匹配
芯片尺寸,从而不会的COM高灵敏度
看好的可视角度。
与扁平封装球面镜片比较
包实现了80 %的灵敏度改善。
94
8633
特点
大辐射敏感区( A = 5.7毫米)
广视角
= ± 60°
提高了灵敏度
e4
快速的响应时间
低结电容
塑料封装的通用红外滤镜
选项"L" :长引线封装可供选购
后缀"L" ;例如: BPV23FL
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
2
应用
红外遥控和自由的空气传播系
与红外发射器二极管组合TEMS ( TSU.- ,
TSI.- ,或TSH.系列) 。高灵敏度探测器
高数据速率的传输系统。
红外过滤器完美匹配的高速基础设施
红色的发射器在830纳米至880纳米的波长
范围内。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
5s
T
AMB
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 55至+ 100
- 55至+ 100
260
350
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
www.vishay.com
1
BPV23NF(L)
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
μA,
E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
60
2
48
900
30
典型值。
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
Ω
光学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
噪声等效功率
探测
上升时间
下降时间
截止频率
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 950 nm的
测试条件
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 870纳米,
V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米,
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm的
符号
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(λ)
s(λ)
λ
p
λ
0.5
η
NEP
D
*
t
r
t
f
f
c
f
c
45
典型值。
390
- 2.6
65
65
0.1
最大
单位
mV
毫伏/ K
μA
μA
%/K
0.57
0.60
± 60
940
790到1050
90
4 x 10
-14
5 x 10
12
70
70
4
1
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz / W
ns
ns
兆赫
兆赫
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2
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
BPV23NF(L)
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
1000
I
ro
- 反向暗电流( NA)
100
I
ra
- 反向光电流( μA )
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
λ
= 950 nm的
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
100
10
10
V
R
= 10
V
1
20
40
60
80
100
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
94
8425
1
10
100
94
8403
T
AMB
- 环境温度( ° C)
V
R
=反转
电压
(V)
图1.反向暗电流与环境温度
图4.反向光电流与反向电压
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
C
D
- 二极管电容(pF )
80
1.2
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
60
E=0
F = 1 MHz的
1.0
40
0.8
20
0.6
0
20
40
60
80
100
94
8423
0
0.1
1
10
100
94
8409
T
AMB
- 环境温度( ° C)
V
R
=反转
电压
(V)
图2.相对反向光电流与环境温度
图5.二极管电容与反向电压
S(λ)
REL
- 相对光谱Sensivity
10
2
1000
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
750
I
ra
- 反向光电流( μA )
100
10
1
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
94
8424
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐照度(毫瓦/平方厘米)
94
8426
λ
-
波长
(纳米)
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
www.vishay.com
3
BPV23NF(L)
威世半导体
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94
8413
图7.相对辐射灵敏度与角位移
包装尺寸(mm)
9612205
www.vishay.com
4
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
BPV23NF(L)
威世半导体
包装尺寸(mm)
95 1
1475
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
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5
BPV23NF , BPV23NFL
威世半导体
硅PIN光电二极管,符合RoHS
特点
包装类型:含铅
包装形式:侧视图
尺寸(单位:mm) : 4.5 ×5× 6
辐射敏感区(单位:mm
2
): 4.4
高辐射敏感性
日光阻断滤波器, 870纳米到匹配
950纳米发射器
94
8633
快速的响应时间
半灵敏度角度:
= ± 60°
铅(Pb )按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
描述
BPV23NF是具有高速和高PIN光电二极管
在一个黑色的塑料封装,侧视图辐射敏感性
镜头和日光阻断滤波器。滤波器的带宽相匹配
与870纳米到950纳米的红外线发射器。该镜头达到了80 %
在与扁平封装比较敏感的改善。
BPV23NFL具有长引线,其它规格象
BPV23NF.
应用
红外辐射高速探测器
红外线遥控器和免费的无线数据传输
系统,例如与TSFFxxxx系列结合IR
发射器
产品概述
部件
BPV23NF
BPV23NFL
测试条件见表“基本特征”
I
ra
(A)
65
65
(度)
± 60
± 60
λ
0.5
(纳米)
790到1050
790到1050
订购信息
订购代码
BPV23NF
BPV23NFL
最小起订量:最小起订量
包装
体积
体积
备注
最小起订量: 4000件, 4000件/散装
最小起订量: 4000件, 4000件/散装
包装形式
SIDE VIEW
从侧面看,长引线
绝对最大额定值
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
t
5s
跟铜线, 0.14毫米
2
T
AMB
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
350
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
www.vishay.com
362
如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
文档编号: 81513
修订版1.7 , 08 09月08
BPV23NF , BPV23NFL
硅PIN光电二极管,符合RoHS
威世半导体
基本特征
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
V温度COEF网络cient
o
短路电流
反向光电流
我的温度系数
ra
绝对光谱灵敏度
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
噪声等效功率
探测
上升时间
下降时间
截止频率
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 950 nm的
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100 μA , E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米,
V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米,
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm的
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(λ)
s(λ)
45
60
2
48
900
390
- 2.6
65
65
0.1
0.57
0.60
± 60
940
790到1050
90
4 x 10
-14
5 x 10
12
70
70
4
1
30
分钟。
典型值。
1
马克斯。
1.3
单位
V
V
nA
pF
Ω
mV
毫伏/ K
A
A
%/K
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz / W
ns
ns
兆赫
兆赫
λ
p
λ
0.5
η
NEP
D*
t
r
t
f
f
c
f
c
基本特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
I
RA相对
- 相对反向光电流
1000
I
ro
- 反向暗电流( NA)
1.4
1.2
100
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
1.0
10
0.8
V
R
= 10
V
1
20
40
60
80
100
0.6
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度( ° C)
94
8403
T
AMB
- 环境温度( ° C)
94
8409
图。 1 - 反向暗电流与环境温度
图。 2 - 相对反向光电流与环境温度
文档编号: 81513
修订版1.7 , 08 09月08
如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
www.vishay.com
363
BPV23NF , BPV23NFL
威世半导体
硅PIN光电二极管,符合RoHS
1000
S(λ)
REL
- 相对光谱Sensivity
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
750
94
8426
I
ra
- 反向光电流( μA )
100
10
1
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
94
8424
0.1
1
10
850
950
1050
1150
E
e
- 辐射(毫瓦/平方厘米
2
)
λ
-
波长
(纳米)
图。 3 - 反向光电流与光强
图。 6 - 相对光谱灵敏度与波长
100
I
ra
- 反向光电流( μA )
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
λ
= 950 nm的
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
10
°
20
°
30°
- 角位移
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
1
10
V
R
- 反向
电压
(V)
100
94
8413
0.6
0.4
0.2
0
94
8425
图。 4 - 反向光电流与反向电压
图。 7 - 相对辐射灵敏度与角位移
80
C
D
- 二极管电容(pF )
60
E=0
F = 1 MHz的
40
20
0
0.1
94
8423
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图。 5 - 二极管电容与反向电压
www.vishay.com
364
如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
文档编号: 81513
修订版1.7 , 08 09月08
BPV23NF , BPV23NFL
硅PIN光电二极管,符合RoHS
威世半导体
包装尺寸
以毫米为单位:
BPV23NF
5
+ 0.1
- 0.3
3.2
± 0.15
± 0.2
4.5
± 0.2
(2.4)
2.5
< 0.7
± 0.3
6
± 0.3
18.8
± 0.5
8.6
2.25 (球)
0.65
+ 0.1
- 0.2
0.1
3.4
+ 0.3
-
地区没有飞机
A
C
0.45
+ 0.2
- 0.1
0.4
+ 0.15
2.54喃。
1.1
± 0.2
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
水彩编号: 6.544-5199.01-4
问题: 2 ; 01年6月19日
95 11475
包装尺寸
以毫米为单位:
BPV23NFL
5
+ 0.1
- 0.3
3.2
± 0.15
± 0.2
4.5
± 0.2
(2.4)
2.5
< 0.7
± 0.3
± 0.3
6
R 2.2
5 ( SP
这里
)
32.5
± 0.5
10.8
0.75
- 0.12
0.1
3.4
+0.3
-
地区没有飞机
A
C
0.63
± 0.1
0.4
± 0.1
2.54喃。
1.1
± 0.2
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
水彩编号: 6.544-5236.01-4
问题: 2 ; 97年7月7日
96 12205
文档编号: 81513
修订版1.7 , 08 09月08
如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
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法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
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文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
BPV23NF(L)
威世半导体
硅PIN光电二极管
描述
BPV23NF (L)是一个高速和高灵敏度的PIN码
光电二极管在一个塑料封装具有球形侧
视图镜头。
环氧封装本身是一个红外滤光片,光谱
匹配的GaAs上的GaAlAs红外GaAs和GaAlAs的
发射器( λ
p
= 950纳米,S
REL
( λ = 875纳米) > 90%)。
镜头半径和芯片位置是完全匹配
芯片尺寸,从而不会的COM高灵敏度
看好的可视角度。
与扁平封装球面镜片比较
包实现了80 %的灵敏度改善。
94
8633
特点
大辐射敏感区( A = 5.7毫米)
广视角
= ± 60°
提高了灵敏度
e4
快速的响应时间
低结电容
塑料封装的通用红外滤镜
选项"L" :长引线封装可供选购
后缀"L" ;例如: BPV23FL
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
2
应用
红外遥控和自由的空气传播系
与红外发射器二极管组合TEMS ( TSU.- ,
TSI.- ,或TSH.系列) 。高灵敏度探测器
高数据速率的传输系统。
红外过滤器完美匹配的高速基础设施
红色的发射器在830纳米至880纳米的波长
范围内。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
5s
T
AMB
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 55至+ 100
- 55至+ 100
260
350
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
www.vishay.com
1
BPV23NF(L)
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
μA,
E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
60
2
48
900
30
典型值。
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
Ω
光学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
噪声等效功率
探测
上升时间
下降时间
截止频率
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 950 nm的
测试条件
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 870纳米,
V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米,
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm的
符号
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(λ)
s(λ)
λ
p
λ
0.5
η
NEP
D
*
t
r
t
f
f
c
f
c
45
典型值。
390
- 2.6
65
65
0.1
最大
单位
mV
毫伏/ K
μA
μA
%/K
0.57
0.60
± 60
940
790到1050
90
4 x 10
-14
5 x 10
12
70
70
4
1
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz / W
ns
ns
兆赫
兆赫
www.vishay.com
2
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
BPV23NF(L)
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
1000
I
ro
- 反向暗电流( NA)
100
I
ra
- 反向光电流( μA )
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
λ
= 950 nm的
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
100
10
10
V
R
= 10
V
1
20
40
60
80
100
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
94
8425
1
10
100
94
8403
T
AMB
- 环境温度( ° C)
V
R
=反转
电压
(V)
图1.反向暗电流与环境温度
图4.反向光电流与反向电压
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
C
D
- 二极管电容(pF )
80
1.2
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
60
E=0
F = 1 MHz的
1.0
40
0.8
20
0.6
0
20
40
60
80
100
94
8423
0
0.1
1
10
100
94
8409
T
AMB
- 环境温度( ° C)
V
R
=反转
电压
(V)
图2.相对反向光电流与环境温度
图5.二极管电容与反向电压
S(λ)
REL
- 相对光谱Sensivity
10
2
1000
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
750
I
ra
- 反向光电流( μA )
100
10
1
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
94
8424
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐照度(毫瓦/平方厘米)
94
8426
λ
-
波长
(纳米)
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
www.vishay.com
3
BPV23NF(L)
威世半导体
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94
8413
图7.相对辐射灵敏度与角位移
包装尺寸(mm)
9612205
www.vishay.com
4
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
BPV23NF(L)
威世半导体
包装尺寸(mm)
95 1
1475
文档编号81513
修订版1.6 , 11月13日 - 06
www.vishay.com
5
BPV23NF(L)
威世德律风根
硅PIN光电二极管
描述
BPV23NF (L)是一个高速和高灵敏度的PIN码
光电二极管在一个塑料封装具有球形侧
视图镜头。
环氧封装本身是一个红外滤光片,光谱
匹配的GaAs上的GaAlAs红外GaAs和GaAlAs的
发射器(
l
p
= 950纳米,S
REL
(
l
= 875纳米) > 90%)。
镜头半径和芯片位置完美匹配
芯片的尺寸,而不给予高灵敏度
影响视角。
与扁平封装球面镜片比较
包实现了80 %的灵敏度改善。
94 8633
特点
D
D
D
D
D
D
D
大辐射敏感区( A = 5.7毫米
2
)
广视角
=
±
60
°
提高了灵敏度
快速的响应时间
低结电容
塑料封装的通用红外滤镜
选择“L” :长引线封装可供选购
用后缀“L” ;例如: BPV23FL
应用
红外遥控和自由的空气传输系统结合红外发射器二极管
( TSU.- , TSI.- ,或TSH.系列) 。高灵敏度的检测器,用于高数据速率的传输系统。
红外滤镜完美匹配,在830纳米至880纳米的波长范围内的高速红外发射器。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
t
x
5s
文档编号81513
第3版, 16 -NOV- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
BPV23NF(L)
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
y
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
m
A,E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 870纳米,V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米,V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
l
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
l
= 950 nm的
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(
l
)
s(
l
)
60
2
48
900
390
–2.6
65
65
0.1
0.57
0.60
±60
940
790...1050
90
4x10
–14
5x10
12
70
70
4
1
30
典型值
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
W
45
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz /
W
ns
ns
兆赫
兆赫
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
l
= 950 nm的
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
探测
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
下降时间
截止频率
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 950 nm的
l
p
l
0.5
h
t
r
t
f
f
c
f
c
NEP
D
*
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (6)
文档编号81513
第3版, 16 -NOV- 99
BPV23NF(L)
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明)
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
I
ro
- 反向暗电流( NA)
100
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
l
=950nm
100
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
10
10
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
94 8425
1
10
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向暗电流与环境温度
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
图4.反向光电流与反向电压
80
C
D
- 二极管电容(pF )
1.2
V
R
=5V
l
=950nm
60
E=0
f=1MHz
1.0
40
0.8
20
0.6
0
94 8409
0
20
40
60
80
100
94 8423
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图2.相对反向光电流与
环境温度
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
图5.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
94 8426
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
100
10
1
V
R
=5V
l
=950nm
0.1
0.01
94 8424
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐射(毫瓦/平方厘米
2
)
l
- 波长(nm )
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
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10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94 8413
图7.相对辐射灵敏度对比
角位移
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