BF244A / BF244B / BF244C
BF244A
BF244B
BF244C
S
G
TO-92
D
N通道射频放大器
该器件是专为RF放大器和混频器应用
操作高达450 MHz ，而对于模拟开关要求低
电容。从工艺50采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
D
I
GF
T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
存储温度范围
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
- 30
50
10
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
BF244A / BF244B / BF244C
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BF244A / BF244B / BF244C
BF244A
BF244B
BF244C
S
G
TO-92
D
N通道射频放大器
该器件是专为RF放大器和混频器应用
操作高达450 MHz ，而对于模拟开关要求低
电容。从工艺50采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
D
I
GF
T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
存储温度范围
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
- 30
50
10
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
BF244A / BF244B / BF244C
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BF244A / BF244B / BF244C
N通道射频放大器
（续）
典型特征
（续）
GFS - 跨导（毫姆欧）
跨
特征
7
6
5
4
3
2
1
0
0
常见的漏源
特征
I
D
- 漏极电流（毫安）
DS
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
O
O
V
= 15V
5
4
3
T
A
= +25 C
典型值V
GS （ OFF ）
O
= -5.0V
=
0V
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
V
GS （ OFF ）
= -4.5V
O
O
5V
-0.
-1.0V
V
-1.5
-2.0V
V
2
1
G
S
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-2.5 V
-1
-2
-3
-4
V
GS
栅源电压（ V）
-
-5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
1
GOS - 输出电导（U姆欧）
T
A
= +25 C
F = 1.0千赫
20
10
5
V
DG
O
V
= -5.5V
克S- （OFF）的
5.0V
10V
15V
20V
政府飞行服务队，我
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 PULSE
r
DS
@ V
DS
= 100mV的，V
GS
= 0
100
50
30
20
10
5
= 5v
10
20
15
5
10
15
20
V
克S- （OFF）的
1
0.5
V
0.1
0.01 0.02
= -3.5V
= -1.5V
克S- （OFF）的
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏极电流（毫安）
5
10
20
10
-
1
V
GS （ OFF ）
@ V
GS
= 15V ，我
D
= 1nA的
3
2
1
-
10
-
2
-
3
-
5
-
7
V - 栅源电压（V ）
GS
跨VS
漏电流
GFS - 跨导（毫姆欧）
10
e
n
- 噪声电压（NV /
噪声电压与频率
V
DG
= 15V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10赫兹， 100赫兹
= 0.2 F @ F > 1.0千赫
赫兹）
V
GS （ OFF ）
= - 1.5V
O
T
A
= -55 C
5
T
A
= +25 C
T
A
= +125 C
1
O
O
T
A
= -55 C
V
GS （ OFF ）
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
= - 5V
V
DG
= 15V
F = 1.0千赫
O
O
0.5
10
5
I
D
- 0.5毫安
I
D
= 3毫安
0.1
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率（KHz ）
30
100
政府飞行服务队---跨导（毫姆欧）
I
- 漏极电流（毫安）
DSS
输出电导VS
漏电流
r
DS
- 漏极"ON"电阻（
)
跨
参数相互作用
BF244A / BF244B / BF244C
BF244A
BF244B
BF244C
S
G
TO-92
D
N通道射频放大器
该器件是专为RF放大器和混频器应用
操作高达450 MHz ，而对于模拟开关要求低
电容。从工艺50采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
D
I
GF
T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
存储温度范围
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
- 30
50
10
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
BF244A / BF244B / BF244C
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BF244A / BF244B / BF244C
BF244A
BF244B
BF244C
S
G
TO-92
D
N通道射频放大器
该器件是专为RF放大器和混频器应用
操作高达450 MHz ，而对于模拟开关要求低
电容。从工艺50采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
D
I
GF
T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
存储温度范围
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
- 30
50
10
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
BF244A / BF244B / BF244C
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BF244A / BF244B / BF244C
N通道射频放大器
（续）
典型特征
（续）
GFS - 跨导（毫姆欧）
跨
特征
7
6
5
4
3
2
1
0
0
常见的漏源
特征
I
D
- 漏极电流（毫安）
DS
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
O
O
V
= 15V
5
4
3
T
A
= +25 C
典型值V
GS （ OFF ）
O
= -5.0V
=
0V
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
V
GS （ OFF ）
= -4.5V
O
O
5V
-0.
-1.0V
V
-1.5
-2.0V
V
2
1
G
S
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-2.5 V
-1
-2
-3
-4
V
GS
栅源电压（ V）
-
-5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
1
GOS - 输出电导（U姆欧）
T
A
= +25 C
F = 1.0千赫
20
10
5
V
DG
O
V
= -5.5V
克S- （OFF）的
5.0V
10V
15V
20V
政府飞行服务队，我
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 PULSE
r
DS
@ V
DS
= 100mV的，V
GS
= 0
100
50
30
20
10
5
= 5v
10
20
15
5
10
15
20
V
克S- （OFF）的
1
0.5
V
0.1
0.01 0.02
= -3.5V
= -1.5V
克S- （OFF）的
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏极电流（毫安）
5
10
20
10
-
1
V
GS （ OFF ）
@ V
GS
= 15V ，我
D
= 1nA的
3
2
1
-
10
-
2
-
3
-
5
-
7
V - 栅源电压（V ）
GS
跨VS
漏电流
GFS - 跨导（毫姆欧）
10
e
n
- 噪声电压（NV /
噪声电压与频率
V
DG
= 15V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10赫兹， 100赫兹
= 0.2 F @ F > 1.0千赫
赫兹）
V
GS （ OFF ）
= - 1.5V
O
T
A
= -55 C
5
T
A
= +25 C
T
A
= +125 C
1
O
O
T
A
= -55 C
V
GS （ OFF ）
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
= - 5V
V
DG
= 15V
F = 1.0千赫
O
O
0.5
10
5
I
D
- 0.5毫安
I
D
= 3毫安
0.1
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率（KHz ）
30
100
政府飞行服务队---跨导（毫姆欧）
I
- 漏极电流（毫安）
DSS
输出电导VS
漏电流
r
DS
- 漏极"ON"电阻（
)
跨
参数相互作用
BF244A / BF244B / BF244C
BF244A
BF244B
BF244C
S
G
TO-92
D
N通道射频放大器
该器件是专为RF放大器和混频器应用
操作高达450 MHz ，而对于模拟开关要求低
电容。从工艺50采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
D
I
GF
T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
存储温度范围
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
- 30
50
10
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
BF244A / BF244B / BF244C
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BF244A / BF244B / BF244C
N通道射频放大器
（续）
典型特征
（续）
GFS - 跨导（毫姆欧）
跨
特征
7
6
5
4
3
2
1
0
0
常见的漏源
特征
I
D
- 漏极电流（毫安）
DS
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
O
O
V
= 15V
5
4
3
T
A
= +25 C
典型值V
GS （ OFF ）
O
= -5.0V
=
0V
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
V
GS （ OFF ）
= -4.5V
O
O
5V
-0.
-1.0V
V
-1.5
-2.0V
V
2
1
G
S
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-2.5 V
-1
-2
-3
-4
V
GS
栅源电压（ V）
-
-5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
1
GOS - 输出电导（U姆欧）
T
A
= +25 C
F = 1.0千赫
20
10
5
V
DG
O
V
= -5.5V
克S- （OFF）的
5.0V
10V
15V
20V
政府飞行服务队，我
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 PULSE
r
DS
@ V
DS
= 100mV的，V
GS
= 0
100
50
30
20
10
5
= 5v
10
20
15
5
10
15
20
V
克S- （OFF）的
1
0.5
V
0.1
0.01 0.02
= -3.5V
= -1.5V
克S- （OFF）的
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏极电流（毫安）
5
10
20
10
-
1
V
GS （ OFF ）
@ V
GS
= 15V ，我
D
= 1nA的
3
2
1
-
10
-
2
-
3
-
5
-
7
V - 栅源电压（V ）
GS
跨VS
漏电流
GFS - 跨导（毫姆欧）
10
e
n
- 噪声电压（NV /
噪声电压与频率
V
DG
= 15V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10赫兹， 100赫兹
= 0.2 F @ F > 1.0千赫
赫兹）
V
GS （ OFF ）
= - 1.5V
O
T
A
= -55 C
5
T
A
= +25 C
T
A
= +125 C
1
O
O
T
A
= -55 C
V
GS （ OFF ）
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
= - 5V
V
DG
= 15V
F = 1.0千赫
O
O
0.5
10
5
I
D
- 0.5毫安
I
D
= 3毫安
0.1
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率（KHz ）
30
100
政府飞行服务队---跨导（毫姆欧）
I
- 漏极电流（毫安）
DSS
输出电导VS
漏电流
r
DS
- 漏极"ON"电阻（
)
跨
参数相互作用
BF244A / BF244B / BF244C
BF244A
BF244B
BF244C
S
G
TO-92
D
N通道射频放大器
该器件是专为RF放大器和混频器应用
操作高达450 MHz ，而对于模拟开关要求低
电容。从工艺50采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
D
I
GF
T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
存储温度范围
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
- 30
50
10
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
BF244A / BF244B / BF244C
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BF244A / BF244B / BF244C
N通道射频放大器
（续）
典型特征
（续）
GFS - 跨导（毫姆欧）
跨
特征
7
6
5
4
3
2
1
0
0
常见的漏源
特征
I
D
- 漏极电流（毫安）
DS
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
O
O
V
= 15V
5
4
3
T
A
= +25 C
典型值V
GS （ OFF ）
O
= -5.0V
=
0V
T
A
= -55 C
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
V
GS （ OFF ）
= -4.5V
O
O
5V
-0.
-1.0V
V
-1.5
-2.0V
V
2
1
G
S
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-2.5 V
-1
-2
-3
-4
V
GS
栅源电压（ V）
-
-5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏 - 源电压（V ）
1
GOS - 输出电导（U姆欧）
T
A
= +25 C
F = 1.0千赫
20
10
5
V
DG
O
V
= -5.5V
克S- （OFF）的
5.0V
10V
15V
20V
政府飞行服务队，我
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 PULSE
r
DS
@ V
DS
= 100mV的，V
GS
= 0
100
50
30
20
10
5
= 5v
10
20
15
5
10
15
20
V
克S- （OFF）的
1
0.5
V
0.1
0.01 0.02
= -3.5V
= -1.5V
克S- （OFF）的
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏极电流（毫安）
5
10
20
10
-
1
V
GS （ OFF ）
@ V
GS
= 15V ，我
D
= 1nA的
3
2
1
-
10
-
2
-
3
-
5
-
7
V - 栅源电压（V ）
GS
跨VS
漏电流
GFS - 跨导（毫姆欧）
10
e
n
- 噪声电压（NV /
噪声电压与频率
V
DG
= 15V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10赫兹， 100赫兹
= 0.2 F @ F > 1.0千赫
赫兹）
V
GS （ OFF ）
= - 1.5V
O
T
A
= -55 C
5
T
A
= +25 C
T
A
= +125 C
1
O
O
T
A
= -55 C
V
GS （ OFF ）
T
A
= +25 C
T
A
= +125
O
C
= - 5V
V
DG
= 15V
F = 1.0千赫
O
O
0.5
10
5
I
D
- 0.5毫安
I
D
= 3毫安
0.1
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
I
D
- 漏电流（mA ）
5
10
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率（KHz ）
30
100
政府飞行服务队---跨导（毫姆欧）
I
- 漏极电流（毫安）
DSS
输出电导VS
漏电流
r
DS
- 漏极"ON"电阻（
)
跨
参数相互作用
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