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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第18页 > 2SK2373
2SK2373
硅N沟道MOS FET
ADE-208-268
1日。版
应用
低频功率开关
特点
低导通电阻
小型封装
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以驱动从5V电源。
适用于低信号的负载开关
概要
MPAK
3
1
2
D
1.源
2.门
3.排水
G
S
2SK2373
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
100
s,
占空比
≤
10 %
2.标记为“零点， ” 。
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
0.2
0.4
0.2
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
民
30
±20
—
—
1.0
—
—
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
记
1.脉冲测试
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.4
1.0
17.8
25.4
3.7
50
125
660
400
最大
—
—
±2
1
2.0
2.5
1.4
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 100
A,
V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 10
A,
V
DS
= 5 V
I
D
= 20毫安
V
GS
= 4 V*
1
I
D
= 10毫安
V
GS
= 10 V*
1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.1 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 100
PW = 2
s
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
2
2SK2373
P沟（ mW）的
最大通道损耗曲线
200
I
D
(A)
1
最高安全工作区
1毫秒
0.3
0.1
=
s
PW0米
1
150
信道功率耗散
C
D
100
漏电流
n
TIO
ra
pe
O
0.03
0.01
0.003
0.001
50
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TA = 25℃
1次脉冲
1
0.3
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
0.1
环境温度
典型的输出特性
2.0
脉冲测试
I
D
(A)
(A)
1.6
5V
0.4
4.5 V
1.2
4V
0.8
3.5 V
0.4
3V
V
GS
= 2.5 V
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0.5
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
I
D
漏电流
0.3
75 °C
0.2
25 °C
TA = -25°C
漏电流
0.1
0
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
3
2SK2373
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
0.5
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
10
5
TA = 25℃
脉冲测试
0.4
2
V
GS
= 4 V
1
0.5
0.2
0.1
0.01 0.02
10 V
0.3
0.2
0.2 A
0.1
0.1 A
I
D
= 0.05 A
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
V
GS
(V)
20
0.05 0.1 0.2
0.5
漏电流I
D
(A)
1
正向转移导纳| YFS | （ S）
1
0.5
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
TA = -25°C
30
10
3
1
0.3
0.1
0.05 0.1
0.2
0.5
1
0
典型的电容比。
漏源极电压
电容C （PF ）
科斯
西塞
CRSS
0.2
0.1
0.05
25 °C
75 °C
0.02
0.01
0.01 0.02
V
DS
= 10 V
脉冲测试
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
40
50
漏电流I
D
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
4
2SK2373
反向漏电流 -
源极到漏极电压
0.5
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
0.4
0.3
10 V
5V
V
GS
= 0
0.2
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
5
2SK2373
硅N沟道MOS FET
REJ03G1009-0300
Rev.3.00
2006年12月27日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
小型封装
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以驱动从5V电源。
适用于低信号的负载开关
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
D
3
1
2
G
1.源
2.门
3.排水
S
注意：
标记为“零点， ” 。
Rev.3.00 2006年12月27日第1页5
2SK2373
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注：1， PW
≤100 s,
占空比
≤
10 %
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
0.2
0.4
0.2
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mW
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注： 2.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
±20
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.4
1.0
17.8
25.4
3.7
50
125
660
400
最大
—
—
±2
1
2.0
7.5
7.0
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 100
A,
V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 10
A,
V
DS
= 5 V
I
D
能力= 20 mA ，V
GS
= 4 V*
2
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 10 V*
2
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 0.1 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 100
,
PW = 2
s
Rev.3.00 2006年12月27日第2页5
2SK2373
主要特点
最大通道损耗曲线
P沟（ mW）的
200
1
最高安全工作区
1毫秒
(A)
0.3
0.1
=
s
PW0米
1
150
信道功率耗散
I
D
D
C
漏电流
O
100
0.03
0.01
0.003
0.001
50
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
ra
pe
n
TIO
TA = 25°C
1次脉冲
0.3
1
3
10
30
100
0
50
100
150
200
0.1
环境温度
的Ta （℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
2.0
脉冲测试
0.5
典型的传输特性
(A)
(A)
1.6
5V
4.5 V
0.4
V
DS
= 10 V
I
D
I
D
0.3
1.2
漏电流
4V
0.8
3.5 V
0.4
3V
V
GS
= 2.5 V
漏电流
75°C
0.2
25°C
TA = -25°C
0.1
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
0.5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
10
5
TA = 25°C
脉冲测试
0.4
2
V
GS
= 4 V
0.3
1
0.5
0.2
0.1
0.01 0.02
10 V
0.2
0.2 A
0.1
0.1 A
I
D
= 0.05 A
0
4
8
12
16
20
0.05 0.1
0.2
0.5
1
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2006年12月27日第3页5
2SK2373
正向转移导纳主场迎战
漏电流
典型的电容比。
漏源极电压
100
TA = -25°C
30
10
3
1
0.3
0.1
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0
10
20
30
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
正向转移导纳| YFS | （ S）
1
0.5
电容C （PF ）
科斯
西塞
CRSS
0.2
0.1
0.05
25°C
75°C
0.02
0.01
0.01 0.02
V
DS
= 10 V
脉冲测试
40
50
漏电流I
D
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
反向漏电流I
DR
(A)
0.5
脉冲测试
0.4
0.3
10 V
5V
V
GS
= 0
0.2
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
Rev.3.00 2006年12月27日第4
2SK2373
包装尺寸
包名称
MPAK
JEITA封装代码
SC-59A
瑞萨代码
PLSP0003ZB-A
以前的代码
MPAK （ T） / MPAK （T ）V
质量[典型值]
0.011g
D
e
A
Q
c
E
H
E
L
A
A
X M传
A
b
L
1
A
3
e
L
P
参考
尺寸以毫米为单位
符号
最小值标称值最大值
A
2
A
A
1
S
b
I
1
c
b
2
A-A部分
e
1
终端位置的区域格局
A
A
1
A
2
A
3
b
c
D
E
e
H
E
L
L
1
L
P
x
b
2
e
1
I
1
Q
1.0
0
1.0
0.35
0.1
2.7
1.35
2.2
0.35
0.15
0.25
1.1
0.25
0.4
0.16
1.5
0.95
2.8
1.3
0.1
1.2
0.5
0.26
3.1
1.65
3.0
0.75
0.55
0.65
0.05
0.55
1.05
1.95
0.3
订购信息
部件名称
2SK2373ZE-TL-E
2SK2373ZE-TR-E
QUANTITY
3000件
3000件
TAPING
TAPING
中海集装箱
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.3.00 2006年12月27日第5
查看更多2SK2373PDF信息
推荐型号
2SC2878
222233860222
24PCB
2KBP08
2SC3257
20CJQ045PBF
2SD1210
208-1112LPSTP
251B120252A1TB
2SB0948AP
2SD476K
2N2907/A
22-02-7143
2SA2094
2N7287H1
295T220R103B32
262647
25RX501000M16X315
2SC5077A
2N7322H
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK2373
    -
    -
    -
    -
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更多配单专家
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2SK2373
RENESAS
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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RENESAS/瑞萨
20+
317689
SOP28
有挂就有货 支持订货.备货
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电话：755-83252273
联系人：郑
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联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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22000
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