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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1210
描述
高
直流电流增益
: h
FE
= 1000 （最小） @我
C
= 10A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 100V （最小值）
应用
·设计
对于音频功率放大器和低
高速大电流开关工业用途。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
150
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
8
V
I
C
集电极电流连续
10
A
I
CM
集电极电流峰值
20
A
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
1
A
3
W
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
j
结温
80
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD1210
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ，我
B
= 25毫安
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 10A ，我
B
= 25毫安
2.0
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 8V ;我
C
= 0
5
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
= 2V
1000
开关时间
t
on
开启时间
I
C
= 10A ，我
B1
= -I
B2
= 25毫安;
R
L
= 5Ω;V
CC
≈
50V
1.0
μs
t
英镑
贮存时间
5.0
μs
t
f
下降时间
2.0
μs
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厂家
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