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功率晶体管
2SB0948 , 2SB0948A
( 2SB948 , 2SB948A )
PNP硅外延平面型
单位:mm
0.7
±0.1
用于低压开关
补充2SD1445和2SD1445A
I
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
高速开关
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
16.7
±0.3
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
4.2
±0.2
浸焊
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
14.0
±0.5
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
收藏家基地
电压
集电极
发射极电压
2SB0948
2SB0948A
2SB0948
2SB0948A
V
EBO
I
CP
I
C
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
P
C
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
40
50
20
40
5
20
10
40
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1 2 3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ : SC- 67
TO- 220F封装
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB0948
2SB0948A
h
FE1
h
FE2 *
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
注) *:等级分类
h
FE2
Q
90至180
P
130 260
注)括号中的部分数据显示传统的零件编号。
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
=
2
V,I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2
V,I
C
=
3
A
I
C
=
10
A,I
B
=
0.33 A
I
C
=
10
A,I
B
=
0.33 A
V
CE
=
10
V,I
C
=
0.5 A , F = 10 MHz的
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
I
C
=
3
A,I
B1
=
0.1 A,I
B2
= 0.1 A
100
400
0.1
0.5
0.1
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
条件
V
CB
=
40
V,I
E
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
10
妈,我
B
= 0
20
40
45
90
260
0.6
1.5
V
V
兆赫
pF
s
s
s
典型值
最大
50
50
单位
A
A
V
正向电流传输比
1
2SB0948 , 2SB0948A
P
C
T
a
50
–12
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(3)同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 4 )不带散热片
(P
C
=2W)
I
B
=–100mA
–10
–80mA
–60mA
–50mA
–40mA
–6
–35mA
–30mA
–25mA
–4
–20mA
–15mA
–2
–10mA
–5mA
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
T
C
=25C
功率晶体管
I
C
V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–10
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/I
B
=30
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
40
–3
–8
–1
T
C
=100C
25C
–25C
30
(1)
20
– 0.3
– 0.1
10
(3)
(4)
0
(2)
– 0.03
– 0.01
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
–10
h
FE
I
C
I
C
/I
B
=30
10000
V
CE
=–2V
10000
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
正向电流传输比H
FE
–3
T
C
=–25C
100C
25C
1000
300
100
–25C
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
25C
–1
T
C
=100C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1
过渡频率f
T
(兆赫)
–10
–30
–100
3000
– 0.3
–1
–3
–10
–1
–3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
V
CB
10000
10
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=30
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–20V
T
C
=25C
t
英镑
0.3
t
on
0.1
t
f
0.03
安全操作区( ASO )
–100
–30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
t=1ms
–10
–3
–1
I
C
10ms
DC
集电极输出电容C
ob
(PF )
3000
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
3
1
集电极电流I
C
(A)
– 0.3
– 0.1
– 0.03
0.01
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SB0948A
–100
2SB0948
功率晶体管
R
日(T )
t
10
3
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
2SB0948 , 2SB0948A
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
2
10
(2)
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
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istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
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2001年MAR
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    2SB0948AP
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
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