【2SD476 （ K）， 2SD476A （ K）硅NPN三重扩散应用电源开关互补对与2SB566】,IC型号2SD476K,2SD476K PDF资料,2SD476K经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SD476 （ K）， 2SD476A （ K）

硅NPN三重扩散

应用

电源开关互补对与2SB566 （ K）和2SB566A （ K）

概要

TO-220AB

2 3

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

2SD476(K)

150

-55到+150

2SD476A(K)

150

-55到+150

单位

°C

2SD476 （ K）， 2SD476A （ K）

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD476(K)

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

民

—

典型值

—

0.3

3.0

2.5

最大

—

200

—

1.0

1.2

—

2SD476A(K)

民

—

典型值

—

0.3

3.0

2.5

最大

—

200

—

1.0

1.2

—

兆赫

= 4 V，I

= 0.5 A

= 10.5 V

= 10 I

= –10 I

0.5 A

单位

测试条件

= 10

= 0

= 50毫安，R

∞

= 10

= 0

= 50 V，I

= 0

= 4 V，I

= 1 A

（脉冲测试）

= 4 V，I

= 0.1 A

= 2 A，I

= 0.2 A

直流电流传输比H

FE1

FE2

集电极到发射极

饱和电压

基极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

增益带宽乘积F

启动时间

关闭时间

贮存时间

注意：

60至120

关闭

英镑

1. 2SD476 （K）和2SD476A （K）是用h分组

FE1

如下。

100至200

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率PC（ W）

5 I

C（最大值）

集电极电流I

(A)

1.0

0.5

0.2

0.1

100

案例温度T

(°C)

150

安全工作区

（ 10 V ， 4 A）

= 40 W

（ 20 V ， 2 A）

ERA

化

= 25°C

（ 50 V ， 0.22 A）

2SD476A

（ 60 V ， 0.15 A）

2SD476

50 100

集电极到发射极电压V

(V)

2SD476 （ K）， 2SD476A （ K）

典型的输出特性

= 25°C

集电极电流I

(A)

典型的传输特性

= 4 V

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

基极至发射极电压V

(V)

= 75

–25

集电极电流I

(A)

10毫安

= 0

集电极到发射极电压V

(V)

集电极到发射极饱和电压V

CE （SAT）

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

1,000

= 4 V

直流电流传输比H

500

200

100

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

集电极电流I

(A)

= 75°C

–25

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

–25

0.2

0.01 0.02

= 75°C

= 10 l

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

集电极电流I

(A)

单位：mm

11.5 MAX

2.79

0.2

10.16

0.2

9.5

8.0

3.6

-0.08

+0.1

4.44

0.2

1.26

0.15

6.4

+0.2

–0.1

18.5

0.5

15.0

0.3

1.27

2.7 MAX

14.0

0.5

1.5 MAX

7.8

0.5

0.76

0.1

2.54

0.5

2.54

0.5

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-220AB

符合

1.8 g

注意事项

1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，

本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。

日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题，包括不承担任何责任

知识产权与使用本文档中包含的信息连接。

2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有

收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，

使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险

人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

书面批准日立。

7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题

产品。

株式会社日立制作所

半导体&集成电路。

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真：（ 03 ） 3270-5109

网址

北美洲

： HTTP ： semiconductor.hitachi.com/

欧洲

： http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg

亚洲（新加坡）

： http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm

亚洲（台湾）

： http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm

亚洲（香港）： http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm

日本

： http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm

欲了解更多信息，写信至：

日立半导体

（美国）有限公司

179东塔斯曼驱动器，

圣何塞， CA 95134

联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990

传真： <1> （ 408 ） 433-0223

日立欧洲公司

电子元件组

Dornacher大街3

D- 85622克恩，慕尼黑

德国

联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0

传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00

日立欧洲公司

电子元件组。

Whitebrook公园

较低的Cookham路

梅登黑德

伯克希尔SL6 8YA ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585000

传真： <44> （ 1628 ） 778322

日立（亚洲）。有限公司

16哥烈码头20-00 ＃

日立塔

新加坡049318

联系电话： 535-2100

传真： 535-1533

日立亚洲有限公司

台北分公司

3F ，洪郭建设。 167号，

敦华北路，台北（ 105 ）

联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666

传真： <886> （ 2 ） 2718-8180

日立亚洲（香港）有限公司

第三组（电子元器件）

7 / F。，北塔，世界金融中心，

海港城，广东道，尖沙咀，

香港九龙

联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218

传真： <852> （ 2 ） 730 0281

电传： 40815国际展贸中心HX

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

2SD476 （ K）， 2SD476A （ K）

硅NPN三重扩散

ADE - 208-898 （ Z）

1日。版

2000年9月

应用

电源开关互补对与2SB566 （ K）和2SB566A （ K）

概要

TO-220AB

2 3

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

2SD476(K)

150

-55到+150

2SD476A(K)

150

-55到+150

单位

°C

2SD476 （ K）， 2SD476A （ K）

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD476(K)

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

民

—

典型值

—

0.3

3.0

2.5

最大

—

200

—

1.0

1.2

—

2SD476A(K)

民

—

典型值

—

0.3

3.0

2.5

最大

—

200

—

1.0

1.2

—

兆赫

= 4 V，I

= 0.5 A

= 10.5 V

= 10 I

= –10 I

0.5 A

单位

测试条件

= 10

= 0

= 50毫安，R

∞

= 10

= 0

= 50 V，I

= 0

= 4 V，I

= 1 A

（脉冲测试）

= 4 V，I

= 0.1 A

= 2 A，I

= 0.2 A

直流电流传输比H

FE1

FE2

集电极到发射极

饱和电压

基极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

增益带宽乘积F

启动时间

关闭时间

贮存时间

注意：

60至120

关闭

英镑

1. 2SD476 （K）和2SD476A （K）是用h分组

FE1

如下。

100至200

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率PC（ W）

5 I

C（最大值）

集电极电流I

(A)

1.0

0.5

0.2

0.1

100

案例温度T

(°C)

150

安全工作区

（ 10 V ， 4 A）

= 40 W

（ 20 V ， 2 A）

ATIO

= 25°C

（ 50 V ， 0.22 A）

2SD476A

（ 60 V ， 0.15 A）

2SD476

50 100

集电极到发射极电压V

(V)

2SD476 （ K）， 2SD476A （ K）

典型的输出特性

= 25°C

集电极电流I

(A)

典型的传输特性

= 4 V

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

基极至发射极电压V

(V)

= 75

–25

集电极电流I

(A)

10毫安

= 0

集电极到发射极电压V

(V)

集电极到发射极饱和电压V

CE （SAT）

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

1,000

= 4 V

直流电流传输比H

500

200

100

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

集电极电流I

(A)

= 75°C

–25

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

–25

0.2

0.01 0.02

= 75°C

= 10 l

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

集电极电流I

(A)