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> 2N2907/A
分立半导体
数据表
M3D125
2N2907 ; 2N2907A
PNP开关晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件, SC04
1997年5月30日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
特点
大电流(最大600 mA)的
低电压(最大60伏) 。
应用
开关和线性放大。
描述
PNP开关晶体管采用TO -18金属封装。
NPN补充: 2N2222和2N2222A 。
3
2N2907 ; 2N2907A
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器,连接到案件
描述
1
手册, halfpage
2
3
2
MAM263
1
Fig.1
简化外形( TO- 18 )和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
2N2907
2N2907A
I
C
P
合计
h
FE
f
T
t
关闭
集电极电流( DC )
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
打开-O FF时间
T
AMB
≤
25
°C
I
C
=
150
毫安; V
CE
=
10
V
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
20
V ; F = 100 MHz的
发射极开路
开基
100
200
40
60
600
400
300
300
兆赫
ns
V
V
mA
mW
条件
分钟。
马克斯。
60
V
单位
I
CON
=
150
毫安;我
BON
=
15
毫安;我
B关
= 15毫安
1997年5月30日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
2N2907
2N2907A
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
T
例
≤
25
°C
集电极开路
条件
发射极开路
开基;我
C
< -100
mA
2N2907 ; 2N2907A
分钟。
65
65
马克斯。
60
40
60
5
600
800
200
400
1.2
+150
200
+150
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-C
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
条件
在自由空气
价值
438
146
单位
K / W
K / W
1997年5月30日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
2N2907
I
CBO
集电极截止电流
2N2907A
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
2N2907
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
E
= 0; V
CB
=
50
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
10
V
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
I
C
=
150
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;注1
h
FE
直流电流增益
2N2907A
V
CE
=
10
V
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
I
C
=
150
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
2
V ; F = 1 MHz的
参数
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
E
= 0; V
CB
=
50
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
条件
2N2907 ; 2N2907A
分钟。
35
50
75
100
30
75
100
100
100
50
马克斯。
20
20
10
10
50
300
单位
nA
A
nA
A
nA
300
400
1.6
1.3
2.6
mV
V
V
V
pF
pF
兆赫
200
8
30
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
20
V ; F = 100 MHz的;
注1
( 10%至90%的水平)的切换时间;
见图2
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试:吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
I
CON
=
150
毫安;我
BON
=
15
毫安;我
B关
= 15毫安
45
15
35
300
250
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1997年5月30日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
2N2907 ; 2N2907A
手册,全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
(探头)
450
R2
RC
Vo
(探头)
450
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
9.5
V ; T = 500
s;
t
p
= 10
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 68
;
R2 = 325
;
R
B
= 325
;
R
C
= 160
.
V
BB
= 3.5 V; V
CC
=
29.5
V.
示波器的输入阻抗Z
i
= 50
.
图2测试电路的开关时间。
1997年5月30日
5
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2N2907/A
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2SC5077A
2N7322H
2N5769
2N7319H
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