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这种材料版权归其各自的制造商
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD819
描述
高
集电极 - 基极击穿电压 -
: V
（ BR ） CBO
= 1500V （最小值）
ULOW
集电极饱和电压 -
高
开关速度
应用
·设计
对于彩电行输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
最大
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流连续
3.5
A
I
E
发射极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
-3.5
A
P
C
50
W
T
j
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-65~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD819
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.8A
B
8.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.8A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 500V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
8
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
95
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
3
兆赫
t
f
下降时间
I
CP
= 3A ;我
B1(
结束）
= 0.8A
1.0
μs
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299-91-312-10-001
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