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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第211页 > 2N6103
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·带
的TO-220封装
2N6102
短针型
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
SEM
NG
HA
C
T
C
=25℃
发射极开路
开基
ND
ICO
条件
UC
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
集电极开路
总功耗
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6102 2N6103
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
45
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=0.5A
1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=15A;I
B
=5A
3.5
V
V
BE-1
基射极电压上
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
1.3
V
V
BE-2
基射极电压上
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
3.5
0.5
2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
h
FE-1
电半
直流电流增益
直流电流增益
发射极截止电流
导½
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
h
FE-2
f
T
跃迁频率
IN
NG
HA
C
SEM
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
ND
ICO
UC
15
80
5
0.8
1.0
mA
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
固电
IN
导½
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
UC
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·带
的TO-220封装
2N6102
短针型
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6102 2N6103
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
45
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=0.5A
1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=15A;I
B
=5A
3.5
V
V
BE-1
基射极电压上
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
1.3
V
V
BE-2
基射极电压上
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
3.5
0.5
2.0
1.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
15
80
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
5
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
0.8
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·带
的TO-220封装
2N6102
短脚
应用
For
在通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2N6102 2N6103
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压sustioning
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
45
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=5A;I
B
=0.5A
1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=15A;I
B
=5A
3.5
V
V
BE-1
基射极电压上
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
1.3
V
V
BE-2
基射极电压上
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150℃
V
EB
= 8V ;我
C
=0
3.5
0.5
2.0
1.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
15
80
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
5
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
0.8
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
JMnic
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6102 2N6103
描述
·采用TO- 220封装
·短脚2N6102型
应用
·对于通用放大器使用
和切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
45
45
8
16
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.67
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
=5A;I
B
=0.5A
I
C
=16A;I
B
=3.2A
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 16A ; V
CE
=4V
V
CB
=额定V
CBO
;I
E
=0
T
C
=150
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V
2N6102 2N6103
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE
(sat-1)
V
CE
(sat-2)
V
BE-1
V
BE-2
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
45
典型值。
最大
单位
V
1.3
2.5
1.3
3.5
0.5
2.0
1.0
15
5
0.8
80
V
V
V
V
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6102 2N6103
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
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    -
    -
    -
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