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2N5600
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在双极PNP设备
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 80V
I
C
= 2A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
2
单位
V
A
-
Hz
@ 5/1 (V
CE
/ I
C
)
30
50M
90
20
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
高频功率放大器;
音频功放和驱动程序。
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N5598
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5600/5602
2N5604
2N5598
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5600/5602
2N5604
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
60
80
100
5
2
20
150
-65~150
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.37
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5598
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N5600/5602
2N5604
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5598/5602
h
FE
直流电流增益
2N5600/5604
2N5598/5602
f
T
跃迁频率
2N5600/5604
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
条件
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安,我
B
=0
80
100
V
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
30
60
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
50
1.0
1.5
0.1
1.0
0.1
200
90
V
V
mA
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
描述
·带
TO- 66封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
应用
For
高频功率放大器;
音频功放和驱动程序。
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N5598
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5600/5602
2N5604
2N5598
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5600/5602
2N5604
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
60
80
100
80
100
120
5
2
20
150
-65~150
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.37
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5598
V
首席执行官
集电极 - 发射极
维持电压
2N5600/5602
2N5604
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5598/5602
h
FE
直流电流增益
2N5600/5604
2N5598/5602
f
T
跃迁频率
2N5600/5604
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
条件
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安,我
B
=0
80
100
V
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
30
60
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
50
1.0
1.5
0.1
1.0
0.1
200
90
V
V
mA
mA
mA
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
图2外形尺寸
JMnic
2N5600
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在双极PNP设备
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 80V
I
C
= 2A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
2
单位
V
A
-
Hz
@ 5/1 (V
CE
/ I
C
)
30
50M
90
20
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
高频功率放大器;
音频功放和驱动程序。
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
参数
条件
2N5598
2N5600/5602
2N5604
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
NG
HA
C
2N5598
SEM
发射极开路
ND
ICO
UC
价值
80
100
120
60
80
100
单位
V
2N5600/5602
2N5604
开基
V
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
5
2
V
A
W
T
C
=25℃
20
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.37
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5598
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N5600/5602
2N5604
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
条件
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安,我
B
=0
80
100
V
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
1.0
1.5
0.1
1.0
0.1
V
V
mA
mA
mA
h
FE
固电
IN
直流电流增益
导½
2N5598/5602
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
2N5600/5604
2N5598/5602
f
T
跃迁频率
NG
HA
C
2N5600/5604
SEM
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
ND
ICO
UC
200
90
30
60
兆赫
50
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
固电
IN
导½
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
UC
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 66封装
·卓越的安全工作区
·低集电极饱和电压
应用
·对于高频功率放大器;
音频功放和驱动程序。
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
参数
2N5598
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5600/5602
2N5604
2N5598
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5600/5602
2N5604
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
60
80
100
5
2
20
150
-65~150
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.37
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5598
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N5600/5602
2N5604
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5598/5602
h
FE
直流电流增益
2N5600/5604
2N5598/5602
f
T
跃迁频率
2N5600/5604
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
符号
条件
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安,我
B
=0
80
100
V
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
30
60
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
50
1.0
1.5
0.1
1.0
0.1
200
90
V
V
mA
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5598 2N5600 2N5602 2N5604
图2外形尺寸
3
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N5600
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2N5600
Microchip Technology
24+
10000
TO-66(TO-213AA)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2N5600
Microchip Technology
24+
10000
TO-66(TO-213AA)
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2N5600
MOT/RCA
2024
636
CAN/TO-3
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2N5600
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8913
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2N5600
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9452
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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