订购数量： ENN7706
2SK3707
2SK3707
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
电机驱动器，直流/直流转换器。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩Enargy （单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
100
±20
20
80
2.0
25
150
--55到150
125
20
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注： * 1 VDD = 20V ， L = 500μH ， IAV = 20A
* 2 L≤500μH ，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 100V ， VGS = 0
VGS =
±16V,
VDS=0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 10A
ID = 10A ， VGS = 10V
ID = 10A ， VGS = 4V
评级
民
100
1
±10
1.2
11
17
45
56
60
80
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D1003QA TS IM TA- 100958 No.7706-1 / 4
2SK3707
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 20A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 20A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 20A
IS = 20A ， VGS = 0
评级
民
典型值
2150
160
110
19.5
30
185
60
44
7.8
9.8
0.95
1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
标记： K3707
包装尺寸
单位：mm
2063A
10.0
3.2
4.5
2.8
3.5
7.2
16.0
18.1
5.6
14.0
1.6
1.2
0.75
2.4
0.7
2.55
1 2 3
2.55
2.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220ML
2.55
2.55
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
ID=10A
RL=5
VDD=50V
非钳位感应测试电路
≥50
RG
L
DUT
D
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
15V
0V
50
VDD
G
2SK3707
P.G
50
S
No.7706-2/4
2SK3707
10
9
VGS - 的Qg
VDS=50V
ID=20A
2
100
7
5
ASO
IDP=80A
<10s
栅极 - 源极电压VGS - V
10
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
漏极电流ID -
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ID=20A
10
s
10
ms
DC
100
op
ms
er
ATI
on
1m
s
0
s
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
Tc=25
°
C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
0.1
0.1
总栅极电荷QG - 数控
2.5
IT06753
30
PD - TA
允许功耗， PD - 含
漏极至源极电压VDS -
5 7 100
2
IT06754
V
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
2.0
25
20
1.5
15
1.0
10
0.5
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT06755
外壳温度，TC -
°C
IT06756
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月， 2003年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7706-4 / 4
订购数量： ENN7706
2SK3707
2SK3707
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
电机驱动器，直流/直流转换器。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩Enargy （单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
100
±20
20
80
2.0
25
150
--55到150
125
20
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注： * 1 VDD = 20V ， L = 500μH ， IAV = 20A
* 2 L≤500μH ，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 100V ， VGS = 0
VGS =
±16V,
VDS=0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 10A
ID = 10A ， VGS = 10V
ID = 10A ， VGS = 4V
评级
民
100
1
±10
1.2
11
17
45
56
60
80
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D1003QA TS IM TA- 100958 No.7706-1 / 4
2SK3707
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 20A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 20A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 20A
IS = 20A ， VGS = 0
评级
民
典型值
2150
160
110
19.5
30
185
60
44
7.8
9.8
0.95
1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
标记： K3707
包装尺寸
单位：mm
2063A
10.0
3.2
4.5
2.8
3.5
7.2
16.0
18.1
5.6
14.0
1.6
1.2
0.75
2.4
0.7
2.55
1 2 3
2.55
2.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220ML
2.55
2.55
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
ID=10A
RL=5
VDD=50V
非钳位感应测试电路
≥50
RG
L
DUT
D
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
15V
0V
50
VDD
G
2SK3707
P.G
50
S
No.7706-2/4
2SK3707
10
9
VGS - 的Qg
VDS=50V
ID=20A
2
100
7
5
ASO
IDP=80A
<10s
栅极 - 源极电压VGS - V
10
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
漏极电流ID -
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ID=20A
10
s
10
ms
DC
100
op
ms
er
ATI
on
1m
s
0
s
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
Tc=25
°
C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
0.1
0.1
总栅极电荷QG - 数控
2.5
IT06753
30
PD - TA
允许功耗， PD - 含
漏极至源极电压VDS -
5 7 100
2
IT06754
V
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
2.0
25
20
1.5
15
1.0
10
0.5
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT06755
外壳温度，TC -
°C
IT06756
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月， 2003年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7706-4 / 4
订购数量： EN7706A
2SK3707
三洋半导体
数据表
2SK3707
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS （ ON） 1 = 45米
Ω
（典型值）。
4V DRIVE
输入电容西塞= 2150pF （典型值）。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
100
±20
20
80
2.0
25
150
--55到150
125
20
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = 20V ， L = 500
μ
H， IAV = 20A （图1）
*2
L
≤
500
μ
H，单脉冲
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7529-001
10.16
3.18
3.3
4.7
2.54
产品&包装信息
包
： TO- 220F - 3SG
JEITA ， JEDEC
： SC- 67
最小包装数量： 50个/盒。
2SK3707-1E
记号
电气连接
2
15.87
6.68
A
15.8
3.23
K3707
LOT号
1
2.76
1.47 MAX
0.8
1
2
3
12.98
3
DETAIL -A
(0.84)
0.5
FRAME
EMC
( 1.0)
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220F - 3SG
2.54
2.54
http://semicon.sanyo.com/en/network
53012 TKIM TC- 00002765 / D1003QA TS IM TA- 100958 No.7706-1 / 7
2SK3707
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 20A ， VGS = 0V
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 20A
见图2
VDS = 20V ， F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 100V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 10A
ID = 10A ， VGS = 10V
ID = 10A ， VGS = 4V
评级
民
100
1
±10
1.2
11
17
45
56
2150
160
110
19.5
30
185
60
44
7.8
9.8
0.95
1.2
60
80
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
图1雪崩电阻测试电路
图2开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
ID=10A
RL=5Ω
D
VDD
PW=10μs
D.C.≤1%
G
VOUT
VDD=50V
L
≥50Ω
RG
2SK3707
10V
0V
50Ω
2SK3707
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
2SK3707-1E
包
TO-220F-3SG
航运
50pcs./magazine
备忘录
无铅
No.7706-2/7
QQ：2880707522 复制
