安森美半导体
)
塑料NPN硅
高电压功率晶体管
。 。 。在线路供电的设备设计用于诸如音频
输出放大器;低电流，高电压的转换器;和AC线
继电器。
2N5655
2N5657
0.5安培
功率晶体管
NPN硅
250-350伏
20瓦
出色的直流电流增益 -
的hFE = 30-250 @ IC = 100 MADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 10兆赫（最小值） @ IC = 50 MADC
最大额定值（ 1 ）
等级
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N5655
250
275
2N5657
350
375
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
0.5
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.25
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
PD
20
0.16
瓦
W / ℃，
_C
TJ ， TSTG
-65到+150
3 2
1
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-09
TO- 225AA型
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
40
30
50毫亨
20
HG继电器
+
X
200
TO SCOPE
6.0 V
Y
300
50 V
+
-
10
0
1.0
25
50
75
100
TC ，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
图2.耐受电压测试电路
安全区的限制是由图3和4这两个限制是适用的，必须遵守指示。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N5655/D
2N5655 2N5657
IC ，集电极电流（ AMP ）
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
250
350
250
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
单位
VDC
VDC
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC （感性） ， L = 50毫亨）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 250 VDC ， IB = 0 ）
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
VCEO （ SUS）
V（ BR ） CEO
ICEO
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
10
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 350伏， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 150伏， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 275伏， IE = 0 ）
（ VCB = 375伏， IE = 0 ）
ICEX
MADC
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
ICBO
μAdc
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 250 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）
IEBO
的hFE
μAdc
–
基本特征
25
30
15
5.0
–
–
–
–
–
250
–
–
1.0
2.5
10
1.0
–
–
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
（ IC = 250 MADC ， IB = 25 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 100 MADC ）
VCE （ SAT ）
VDC
基射极电压（ 1 ） （IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
VBE
fT
COB
的hFE
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ） （IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 100千赫）
10
–
20
兆赫
pF
–
25
小信号电流增益（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据为2N5655系列。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
1.0
0.5
TJ = 150℃
1.0毫秒
d
c
第二击穿极限
热极限@ TC = 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定VCEO
2N5655
2N5657
20
30 40
60
100
200 300 400
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
600
10
s
500
s
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明I C - V CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图3.有源区安全工作区
http://onsemi.com
2
2N5655 2N5657
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
1.0
-55°C
TJ = + 150°C
+100°C
+25°C
VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
IC ，集电极电流（毫安）
70
100
200
300
500
图4.电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
IC / IB = 5.0
10
20
TJ = + 25°C
500
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
300
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
10
0.1
COB
兴业银行
TJ = + 25°C
30
50
100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.为“ON”电压
图6.电容
10
5.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
2.0
td
tr
IC / IB = 10
VCC = 300 V ， VBE （关闭） = 2.0 V
（ 2N5657只）
VCC = 100 V， VBE （关闭） = 0 V
T， TIME （
s)
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
VCC = 300 V
（ 2N5657型，专用）
2.0
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
tf
VCC = 100V
IC / IB = 10
ts
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
0.1
1.0
图7.开启时间
图8.开启，关闭时间
http://onsemi.com
3
2N5655 2N5657
包装尺寸
TO–225AA
CASE 77-09
ISSUE W
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
---
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
---
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
2N5655/D
安森美半导体
)
塑料NPN硅
高电压功率晶体管
。 。 。在线路供电的设备设计用于诸如音频
输出放大器;低电流，高电压的转换器;和AC线
继电器。
2N5655
2N5657
0.5安培
功率晶体管
NPN硅
250-350伏
20瓦
出色的直流电流增益 -
的hFE = 30-250 @ IC = 100 MADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 10兆赫（最小值） @ IC = 50 MADC
最大额定值（ 1 ）
等级
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N5655
250
275
2N5657
350
375
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
0.5
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.25
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
PD
20
0.16
瓦
W / ℃，
_C
TJ ， TSTG
-65到+150
3 2
1
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-09
TO- 225AA型
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
40
30
50毫亨
20
HG继电器
+
X
200
TO SCOPE
6.0 V
Y
300
50 V
+
-
10
0
1.0
25
50
75
100
TC ，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
图2.耐受电压测试电路
安全区的限制是由图3和4这两个限制是适用的，必须遵守指示。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N5655/D
2N5655 2N5657
IC ，集电极电流（ AMP ）
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
250
350
250
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
单位
VDC
VDC
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC （感性） ， L = 50毫亨）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 250 VDC ， IB = 0 ）
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
VCEO （ SUS）
V（ BR ） CEO
ICEO
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
10
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 350伏， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 150伏， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 275伏， IE = 0 ）
（ VCB = 375伏， IE = 0 ）
ICEX
MADC
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
ICBO
μAdc
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 250 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）
IEBO
的hFE
μAdc
–
基本特征
25
30
15
5.0
–
–
–
–
–
250
–
–
1.0
2.5
10
1.0
–
–
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
（ IC = 250 MADC ， IB = 25 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 100 MADC ）
VCE （ SAT ）
VDC
基射极电压（ 1 ） （IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
VBE
fT
COB
的hFE
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ） （IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 100千赫）
10
–
20
兆赫
pF
–
25
小信号电流增益（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据为2N5655系列。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
1.0
0.5
TJ = 150℃
1.0毫秒
d
c
第二击穿极限
热极限@ TC = 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定VCEO
2N5655
2N5657
20
30 40
60
100
200 300 400
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
600
10
s
500
s
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明I C - V CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图3.有源区安全工作区
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2
2N5655 2N5657
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
1.0
-55°C
TJ = + 150°C
+100°C
+25°C
VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
IC ，集电极电流（毫安）
70
100
200
300
500
图4.电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
IC / IB = 5.0
10
20
TJ = + 25°C
500
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
300
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
10
0.1
COB
兴业银行
TJ = + 25°C
30
50
100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.为“ON”电压
图6.电容
10
5.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
2.0
td
tr
IC / IB = 10
VCC = 300 V ， VBE （关闭） = 2.0 V
（ 2N5657只）
VCC = 100 V， VBE （关闭） = 0 V
T， TIME （
s)
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
VCC = 300 V
（ 2N5657型，专用）
2.0
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
tf
VCC = 100V
IC / IB = 10
ts
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
0.1
1.0
图7.开启时间
图8.开启，关闭时间
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3
2N5655 2N5657
包装尺寸
TO–225AA
CASE 77-09
ISSUE W
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
---
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
---
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
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更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
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赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
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