- 深收集极接触的形成2017/5/31 21:09:04 2017/5/31 21:09:04
- 为了降低收集极串联电阻,需要制备重掺杂的n型接触。进行第三次光刻,刻蚀出M1MA142WKT1G收集极掺杂窗口,注入(或扩散)磷,退火激活。基区的形成第四次光刻,刻出...[全文]
- 二氧化硅的干法刻蚀2017/5/28 14:57:08 2017/5/28 14:57:08
- 二氧化硅在集成电路工艺中的应用非常广泛,它可以作为隔离MOSFET的场氧化层,可以作为MOSFET的栅氧化层,可以作为金属问的电介质材料,OPA2334AIDGST还可以作为器件的最后保护层。因...[全文]
- 多晶硅的干法刻蚀2017/5/28 14:55:50 2017/5/28 14:55:50
- 在MOSFET器件的制备中,需要严格地控制栅极的宽度,因为它决定了MOSFET器件的沟道长度,进而与器件的特性息息相关。刻蚀多晶硅时,OPA2188AID必须准确地将掩膜上的尺寸转移到多晶硅上。...[全文]
- PⅤD概述 2017/5/21 17:22:40 2017/5/21 17:22:40
- 物理气相淀积是指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由(靶)源气相转移到衬底表面形成薄膜的过程。BCM5325MA3KQM忽略气相过程时又称物理淀积。PVD相对于CVD而言工艺温...[全文]
- 氮化硅薄膜性质与用途2017/5/19 21:52:37 2017/5/19 21:52:37
- 二氧化硅介质薄膜是构成整个硅平面工艺的基础,但它也有一些缺点,如二氧化K4B2G0846B-HCF8硅的抗钠性能差,薄膜内的正电荷会引起p型硅的反型、沟道漏电等现象;抗辐射性能也差。囚此,在某些...[全文]
- 边界层厚度主要受气体压力和气流状态(或流速)等因素影响2017/5/18 21:27:36 2017/5/18 21:27:36
- 到达角是指反应剂能够从各方向到达表面的某一点,这全部方向角就是该点的到达角。ON9658给出了几个关键点的二维空间的到达角,A点是180°,B点是270°,C点是90°。至刂达角越大,能够到达该...[全文]
- 离子注入机2017/5/17 20:41:16 2017/5/17 20:41:16
- 离子注人机是一种特殊的粒子加速器,用来加速杂质离子,使它们能穿透硅晶体到达几微米的深度。离子注人系统可分为6个主要部分:离子源、磁分析器、RB751V40加速器、扫描器、偏束板和靶室,另外还有真...[全文]
- 晶体管一个重要的电学参数2017/5/14 18:44:28 2017/5/14 18:44:28
- 共发射极电流放大系数。它既是晶体管一个重要的电学参数,也是检验晶体管经过硼、磷扩R5400N102CA-TR-FF散所形成的两个扩散结质量优劣的重要标志。影响放大系数的因素很多,这里仅从扩散工艺...[全文]
- 氧化增强扩散2017/5/13 18:57:49 2017/5/13 18:57:49
- 在热氧化过程中原存在硅内的某些掺杂原子显现出更高的扩散性,称为氧化增强扩散(tlt,nEnhantˉc,dDiffuslon,OED)。实验结果表明,与中性气氛相比,杂MAX8632ETI+T质...[全文]
- 硅中点缺陷对杂质扩散的影响2017/5/13 18:45:29 2017/5/13 18:45:29
- 硅中点缺陷与掺杂原子之间的相互作用对杂质扩散会产生影响。第一类要MAX8550ETI+T考虑的点缺陷是由于硅中存在其他原子(杂质原子)而产生的缺陷。一个位于品格上的杂质原子称为替位杂质,即使不小...[全文]
- 高压氧化2017/5/13 18:12:28 2017/5/13 18:12:28
- 氧化剂的压力在几个到几百个大气压之间的热氧化称为高压氧化。高压氧MAX2057ETX+T化的主要特点是氧化速率快,反应温度低(常用温度为650~950℃),减小了杂质的再分布和prl结的位移,又...[全文]
- 干涉条纹法2017/5/12 21:58:11 2017/5/12 21:58:11
- 干涉条纹法基本原理与比色法相同,采用的是单色光源和专门的干涉显微镜。测量前OX16PCI954-TQA1G,首先把Si层通过48%氢氟酸腐蚀(将不需要腐蚀的⒊o2用真空封蜡保护起来)而制作出一个...[全文]
- 衬底晶向对氧化速率的影响2017/5/11 22:40:23 2017/5/11 22:40:23
- 不同晶向的衬底单晶硅由于表面悬挂键密度不同,生长速率也呈现各向异性。KRC102S-RTK热氧化是氧化剂与硅的氧化反应,衬底硅的性质对氧化速率也有影响。单晶硅各向异性。不同晶向的衬底,氧化速率略...[全文]
- 影响氧化速率的各种因素2017/5/11 22:33:28 2017/5/11 22:33:28
- 在集成电路的加工过程中,氧化层厚度的控制是十分重要的。如栅氧化层的厚度在亚微米工艺中仅几十纳米,KP2310STL甚至几纳米。而通过Dea⒈Grovc氧化速率模型基本可以从理论上推导出硅的热氧化...[全文]
- 离子注入是将杂质离子直接射入硅衬底2017/5/11 22:03:50 2017/5/11 22:03:50
- 离子注入是将杂质离子直接射入硅衬底,是非热力学平衡过程,掺杂浓度和分布易于控制,杂质KA3361CDTF浓度不受固溶度限制,掺杂浓度的范围广。但掺杂后必须通过退火来激活杂质和消除杂质人射对衬底晶...[全文]
- 外延设备2017/5/10 22:18:37 2017/5/10 22:18:37
- 分子束外延设各复杂,是一种高精密设备。随着技术的进步,MBE设各不断更新换代,出现了多种类型,MAX1711EEG但其主要都是由生长室、喷射炉、监控系统、衬底监挎系统装填系统、真空系统、装片系统...[全文]
- 外延工艺种类2017/5/8 20:46:55 2017/5/8 20:46:55
- 外延工艺种类繁多,可以M24C16-MN6T按照工艺方法、外延层/衬底材料、工艺温度、外延层/衬底电阻率、外延层结构、外延层导电类型、外延层厚度等进行分类。1按工艺方法分类...[全文]
- 不同生长方法可得到的单晶硅最小载流子浓度2017/5/8 20:32:05 2017/5/8 20:32:05
- 区熔法为确保单晶硅沿着所需晶向生长,也采用所需晶图~98悬浮区熔装置示意图向的籽晶作为种子,籽晶与多晶硅的熔接是区熔法KA2206拉单晶的关键。区熔法掺杂主要采用前述的气相掺杂方法。此外,区熔法...[全文]
- 直拉法生长单晶硅的主要工艺流程2017/5/7 17:40:55 2017/5/7 17:40:55
- 直拉法生长单晶硅的主要工艺流程为:准备→开炉→生长9停炉。准备阶段先清洗和腐蚀多晶硅,去除表面的污物和氧化层,放人坩埚内。K4T51163QG-HCE6再准备籽晶,籽晶作为晶核,必...[全文]
- 垂直探测仪的光机模块2017/5/3 22:08:08 2017/5/3 22:08:08
- 光机模块由百叶窗组件、支撑基板、扫描组件、扫描口径太阳罩、前放、望远镜、后光路、M30800SGP滤光轮和制冷器组件组成。支撑基板作为支撑,上面安装有扫描件和望远镜。基板上同时装有无源的百叶窗组...[全文]
热门点击
公网安备44030402000607
