外延工艺种类繁多,可以M24C16-MN6T按照工艺方法、外延层/衬底材料、工艺温度、外延层/衬底电阻率、外延层结构、外延层导电类型、外延层厚度等进行分类。

  1按工艺方法分类

   外延工艺主要有气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延。其中气相外延最为成熟,易于控制外延层厚度、杂质浓度和晶格的完整性,在硅外延工艺中一直占据着主导地位。而分子束外延出现得较晚,技术先进,生长的外延层质量好,但是生产效率低、费用高,只有在生长的外延层薄、层数多或结构复杂时才被采用。

   2按外延层/衬底材料分类

   按照外延层/衬底材料的异同可以将外延工艺划分为同质外延和异质外延。同质外延叉称为均匀外延,是外延层与衬底材料相同的外延。绪论中介绍的vn型晶体管就是在同质外延硅片上制作的。异质外延也称为非均匀外延,外延层与衬底材料不相同,甚至物理结构也与衬底完全不同。在蓝宝石(A1(λ)或尖晶石(MgA炻(`)晶体上生长硅单晶,就是异质外延,这种外延也被称为⒏)S技术,是应用最多的异质外延技术。在异质外延中,若衬底材料与外延层材料的晶格常数相差很大,在外延层/衬底界面上就会出现应力,从而产生位错等缺陷。这些缺陷会从界面向上延伸,甚至延伸到外延层表面,影响到制作在外延层上器件的性能。