在集成电路的加工过程中,氧化层厚度的控制是十分重要的。如栅氧化层的厚度在亚微米工艺中仅几十纳米,KP2310STL甚至几纳米。而通过Dea⒈Grovc氧化速率模型基本可以从理论上推导出硅的热氧化过程中氧化剂浓度、氧化工艺时间与氧化层生长速率和厚度之间的一般关系,预测热氧化过程中的两种极限情况。人们在各种不同条件下,做了大量实验并与理论模型进行比较,包括干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化(让氧气胃泡通过温度为85℃的高纯水,得到的水汽压力为8,5×101Pa),氧化温度在700^ˇ1⒛0℃之间,控制精度为±1℃,用多光束干涉法测量氧化层的厚度。硅热氧化的普遍关系以及两种极限情况的实验测定结果如图⒋10所示。由图可见,在长时问氧化或氧化时间很短时,氧化层厚度实测值与Deal Glo吹模型计算值吻合。在氧化层生长工艺过程中,多种因素对氧化层生长

速率常数产生影响。下面从温度、氧化剂分压、衬底晶向、掺杂浓度及杂质类型等因素对氧化速率影响角度进 行讨论。