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发光二极管电压表2013/5/31 21:53:46
2013/5/31 21:53:46
电平指示器电路MAX4147ESD如图1-19所示。当无信号输入时,各非门的输入端均为低电平,其输出端为高电平,发光二极管LED1~1.ED6均不发光。当有信号输入时,各非门输入端的电平随输入信号...[全文]
特点与引脚说明2013/5/30 1:19:35
2013/5/30 1:19:35
1.特点SG3524具有以下特点:①PWM控G2R-1-12V(RO)制电路功能完善;②提供推挽和单端两种输出模式;③待④具有过电流和过热保护功能。2.引脚说明SG3524采用DIP-16和...[全文]
TL431銎可编程基准电压源2013/5/30 1:02:02
2013/5/30 1:02:02
TL4311是由美国德州FPG-SY64D2T仪器公司(TI)和摩托罗拉公司(Motorola)生产的2.50~36V可编程精密并联稳压器。它属于具有电流输出能力的可调基准电压源。其性能好,价格低,...[全文]
输出和输入电流分析2013/5/29 20:27:03
2013/5/29 20:27:03
不同负载参数,其阻抗EC2-4.5NA角妒不同,则负载电流的波形形状和相位都有所不同。当负载参数一定时,可由UAO的波形求出A相电流fA的波形。如图9-21(e)所示是在感性负载下fA的波形。上、...[全文]
用万用表好坏的判别2013/5/28 19:49:16
2013/5/28 19:49:16
用万用表Rxlk挡去测量场效E6H-CWZ6C应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为OQ),则该场效应管损坏;如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧),其余各次...[全文]
各种形式的过电压保护电路2013/5/28 19:44:00
2013/5/28 19:44:00
1.过电压保护电路加到MOSFET上的浪涌电压E6H-CWZ3E有开关与其他MOSFET等部件产生的浪涌电压,有MOSFET自身关断时产生的浪涌电压,有MOSFET内部二极管的反向恢复特性产生的...[全文]
馈能式缓冲电路2013/5/27 20:38:11
2013/5/27 20:38:11
将储能元件中的储能通过适当的方E6C2-AN5C式回馈给负载或电源,借以提高效率。在馈能过程中,由于采用的元件不同,又可分为无源和有源两种方式。(1)馈能式关断缓冲电路。无源馈能式关断缓冲电路如...[全文]
可关断晶闸管的门极驱动电路2013/5/27 9:29:59
2013/5/27 9:29:59
如图6-81所示为可关断E6B2-CWZ5B500P/R晶闸管的门极驱动电路。图中门极驱动电路由开通电路和关断电路两部分组成。每部分电路均由光电隔离,整形和放大三级构成。采用双电源(+5V和-13...[全文]
可关断晶闸管的典型应用2013/5/27 9:30:26
2013/5/27 9:30:26
可关断晶闸管具有一般晶E6B2-CWZ5B400P/R闸管的全部特点,并有自己独特的优点。它具有普通晶闸管的耐压高、大电流、抗浪涌电流能力强等特点,又无需复杂的强制电路。可关断晶闸管广泛用于逆变、...[全文]
共阴极三相半波可控整流电路2013/5/24 21:06:17
2013/5/24 21:06:17
1)电路。三相半波可控整E2E-X2F1-Z流电路(阻性负载)如图6-35所示。为得到零线,变压器二次侧必须接成星形,而一次侧为避免三次谐波流入电源接成三角形。三个晶闸管分别接入a、b、c三相电源...[全文]
单相全波可控整流电路2013/5/24 21:02:01
2013/5/24 21:02:01
1.电路单相全波与单相全控桥从直流输出E2E-X2E2-Z端或从交流输入端看是基本一致的。单相全波可控整流电路如图6-34所示。2.单相金波与单相全控桥整流电路的区别(1)从输入端看:单相全波...[全文]
晶闸管的串并联2013/5/24 20:32:14
2013/5/24 20:32:14
由于晶闸管的额定值是有限的,当需要较高E2E-X18ME1-Z电压或较大电流时,用单独一个晶闸管是不行的,必须将多个晶闸管组合起来使用,即串并联运行。但是由于晶闸管特性的分散性,使用简单的串并联结构...[全文]
三极管的偏压电路2013/5/22 20:51:42
2013/5/22 20:51:42
(1)固定偏压电路。固定偏DS4E-SL2-12V压电路如图5-24所示。在图5-24中,直流电源电压Ucc经电阻Rb降压,取得偏压Ub。,对于这样的电路,当Uc。固定不变时,基极电流厶也基本不...[全文]
开关三极管2013/5/22 20:34:35
2013/5/22 20:34:35
开关三极管在电路中起开关作用,通常称DS4E-S-5V-1C-N137做开关晶体三极管。开关三极管工作在关闭和导通两种状态下,在关闭状态时,它工作在截止区,这时三个电极都只有很小的漏电流:当管子在导...[全文]
塑料封装三极管2013/5/22 20:18:55
2013/5/22 20:18:55
塑料封装三极管是目前常用DS4E-S-12V的三极管之一,图5-11所示为国产塑料封装三极管的引脚分布示意图。图5-11(a)所示为S-lA型,图5-11(b)所示是S-lB型,它们都有半圆形...[全文]
阻性负载2013/5/20 19:20:26
2013/5/20 19:20:26
如图4-19所示,当电源电压甜。为正半CS1W-AD081-V1周时,二极管VD承受正向电压导通,二极管导通时,通常导通压降力1V左右,若忽略此通态压降,则电源电压全部加到负载上。当甜。为负半周时,...[全文]
美国电子工业协会半导体器件型号命名方法2013/5/19 15:02:00
2013/5/19 15:02:00
美国电子工业协会半导CJ1W-OD261体器件型号命名方法。美国电子工业协会(EIA)半导体(分立)器件的命名方法见表4-3。例如1N4148B:1表示PN结的数目为1,即二极管;N表示二极管在E...[全文]
PN结的单向导电性2013/5/19 14:49:51
2013/5/19 14:49:51
当PN结外加电压时,就显示出CGR18650其基本特性——单向导电性。(1)PN结的正偏特性。当PN结的P区接高电位,N区接低电位时,称其为正偏,如图4-9所示。当PN结正偏时,外加电场与内建...[全文]
杂质半导体2013/5/19 14:38:46
2013/5/19 14:38:46
在本征半导体中掺入某种特定有用的杂质,形成BR3032杂质半导体,其导电性能在常温状态下就会发生质的变化。按照掺入杂质的木同,可以分为N型半导体和P型半导体。(1)N型半导体。在硅(锗)晶体中掺...[全文]
使用电流互感器时应注意以下几点2013/5/19 14:32:26
2013/5/19 14:32:26
(1)不能让电流互感器的次级开路,否则易BR2450造成危险。因一次侧串联在被测回路中,所以一次电流的大小是由被测回路中的用电负荷所决定的,一次电流通常很大,一次磁通势/1N,也就很大。正常工作时,...[全文]
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