用万用表Rxlk挡去测量场效E6H-CWZ6C应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为OQ)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小（一般为数百欧），其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。以N沟道管为例，可依次做下述测量，以判定管子是否良好。
    (1)将万用表置于Rxlk挡，先将被测VMOS管的栅极G与源极S用镊子短接一下，然后将红表笔接漏极D，黑表笺接源极S，即测RSD，所测阻值应为数千欧，如图8-21所示。

         
    (2)先用导线短接G与S，将万用表置于RxlOk挡，红表笔接S，黑表笔接D，即测RDS，阻值应接近无穷大，否则说明VMOS管内部PN结的反向特性较差，如图8-22所示。
    (3)紧接上述测量，将G与S间短路线去掉，表笔位置不动，将D与G短接一下再脱开，相当于给栅极注入了电荷，此时阻值应大幅度减小并且稳定在某一阻值。此阻值越小说明跨导值越高，管子的性能越好。如果万用表指针向右摆幅很小，说明VMOS管的跨导值较小，如图8-23所示。
    (4)紧接上述操作，表笔不动，电阻值维持在某一数值，用镊子等导电物将G与S短接一下，给栅极放电，万用表指针应立即向左转至无穷大，如图8-24所示。

        
    图8-23 D与G短接一下再脱开    图8-24 G与S短接一下再脱开
   上述测量方法是针对N沟道VMOS场效应管而言，若测量P沟道管，则应将万用表两表笔的位置调换。