PN结的单向导电性
发布时间:2013/5/19 14:49:51 访问次数:761
当PN结外加电压时,就显示出CGR18650其基本特性——单向导电性。
(1) PN结的正偏特性。
当PN结的P区接高电位,N区接低电位时,称其为正偏,如图4-9所示。当PN结正偏时,外加电场与内建电场方向相反,内建电场将被削弱,耗尽层将变窄,漂移运动削弱,扩散运动加强,扩散电流(多子)重新占据主导地位,形成较大的正向电流。在理想情况下,PN结正偏时正向导通,等效为短路,所以正向电流很大。
(2) PN结的反偏特性。
当PN结的N区接高电位,P区接低电位时,称其为反偏,如图4-10所示。当PN结反偏时,外加电场与内建电场方向相同,内建电场将被加强,耗尽层将变宽,扩散运动削弱,漂移运动加强,漂移电流(少子)重新占据主导地位,形成很小的反向饱内建电场被削弱和电流。在理想情况下,PN结反偏时反向截止,等效为开路,所以反向电流为零。
当PN结外加电压时,就显示出CGR18650其基本特性——单向导电性。
(1) PN结的正偏特性。
当PN结的P区接高电位,N区接低电位时,称其为正偏,如图4-9所示。当PN结正偏时,外加电场与内建电场方向相反,内建电场将被削弱,耗尽层将变窄,漂移运动削弱,扩散运动加强,扩散电流(多子)重新占据主导地位,形成较大的正向电流。在理想情况下,PN结正偏时正向导通,等效为短路,所以正向电流很大。
(2) PN结的反偏特性。
当PN结的N区接高电位,P区接低电位时,称其为反偏,如图4-10所示。当PN结反偏时,外加电场与内建电场方向相同,内建电场将被加强,耗尽层将变宽,扩散运动削弱,漂移运动加强,漂移电流(少子)重新占据主导地位,形成很小的反向饱内建电场被削弱和电流。在理想情况下,PN结反偏时反向截止,等效为开路,所以反向电流为零。
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