由PN结的单向CJ1W-DA04导电性可知，当PN结反偏时，其反向电流很小，几乎为零。但当反向电压超过一定限度，其反向电流将急剧增大，如图4-11所示。这种现象称为PN结的反向击穿。击穿时所对应的电压，称为反向击穿电压，通常用UBR表示。在反向击穿前，PN结处于正常反偏状态，所对应的电流称为反向饱和电流，通常用以来表示，相对于正向电流它很小，一般在微安级别。
    (1)雪崩击穿。当反向电压很大时，内建电场很强，参与漂移运动的少子可获得很大的能量高速地穿越空间电荷区。以自由电子为例，在穿越过程中，难免与共价键中的价电子发生碰撞。碰撞出来的价电子形成自由电子继续参与漂移运动，又碰撞出更多的自由电子。如此继续下去，自由电子的数量如雪崩式增长，导致反向电流急剧增大，产生了雪崩击穿。雪崩击穿的本质是碰撞电离。

         
    (2)齐纳击穿。有时候，PN结外加的反向电压并不大，但是半导体材料本身的掺杂浓度太高，空间电荷区太薄，内建电场的强度也可能达到很强，以至于可以直接把共价键中的价电子拉扯出来，形成自由电子，这个过程称为场致电离。场致电离的结果．也是使参与导电的少子数量迅速增加，导致反向电流急剧增大，这种现象称之为齐纳击穿。
    (3)热击穿。上述PN结的击穿现象都属于电击穿。电击穿是可逆的，只要反向击穿时PN结的反向电流和反向电压的乘积不超过其耗散功率，在反向电压降低后PN结的性能可以恢复正常。但是，如果PN结反向击穿后不采取限流等保护措施，当其热耗超过耗散功率，就会因热量散发不出去引起PN结温度急剧上升，最终导致热击穿，烧毁PN结。