1．过电压保护电路
    加到MOSFET上的浪涌电压E6H-CWZ3E有开关与其他MOSFET等部件产生的浪涌电压，有MOSFET自身关断时产生的浪涌电压，有MOSFET内部二极管的反向恢复特性产生的浪涌电压等，这些过电压会损坏元件，因此要降低这些电压的影响。
    图8-19所示为各种形式的过电压保护电路，其中图8-19 (a)所示电路是用RC吸收浪涌电压的方式，图8-19 (b)所示电路是再接一只二极管VD抑制浪涌电压，为防止浪涌电压的振荡，VD要采用高频开关二极管。图8-19 (c)所示电路是用稳压二极管钳位浪涌电压的方式，而图8-19(d)、图8-19 (e)所示电路是MOSFET上如果加的浪涌电压超过规定值，就使MOSFET导通的方式。图8-19 (f)和图8-19 (g)所示电路在逆变器电路中使用，在正负母线间接电容而吸收浪涌电压。特别是图8-19 (g)所示电路能吸收高于电源电压的浪涌电压，吸收电路的损耗小。图8-19 (h)所示电路是对于在感性负载上并联二极管VD，能消除来自负载的浪涌电压。图8-19 (1)所示电路是栅极串联电阻Rc,，使栅极反向电压- VGS选用最佳值，延迟关断时间而抑制浪涌电压的发生。

           
    图8-19各种形式的过电压保护电路
    对于任何保护电路来说，过电压抑制电路中的接线都要尽可能地短，尽量靠近MOSFE的电极，另外，主回路接线也要尽量短，采用粗线与多股绞合线，若采用平行线时，需要减小接线电感。
    2．过电流保护电路
    MOSFET的过电流有二种情况，即负载短路与负载过大时产生的过电流，过电流保护的基本电路如图8-20所示，由电流互感器(CT)检测过电流，从而切断MOSFET的栅极信号。也可用电阻或霍尔元件替代CT。