由功率MOSFET构成的高频自激振荡器
发布时间:2013/5/28 19:39:29 访问次数:3916
本电源有四E6H-CWZ1X路输出电压:±SV和±12V。开关器件VT1采用MTP5N40型功率MOSFET,其容量为4A,400V;通态电阻为1Q。SV组整流器采用肖特基管MBR1035,12V组整流器采用MVR805型快速恢复二极管。输出滤波电容采用高频电容器。
主电路由功率MOSFET管VT1和变压器T的一次绕组Wl、W2以及二极管WD2构成准推挽式电路,T的二次绕组W3、W4和W6、W7分别构成了±SV和12V两组电压源。控制电路的工作电源由高压晶体管VT2获得,VT2接成射极输出器的形式,其基极电位由12V稳压管VZ确定,而发射极接MC34060的电源端,同时接至变压器T的反馈绕组W3。当绕组中有感应电压而使二极管VD7导通时,可使VT2反向偏置。电容Cl,为软启动电容。刚接通电源时,反馈信号尚未出现,只有电阻R6和B组成的分压网络来控制死区时间,使导通脉冲占空比不超过45%。随着输出电压的建立,由+5V电压输出端取出反馈信号,经MC1723放大,4N27隔离后引入MC34060的PWM比较器,调制控制脉冲的占空比,使输出电压稳定在规定值上。
商频自激振荡电源。
图8-18所示为由功率MOSFET构成的用于节能型荧光灯电源的高频自激振荡器。以往老式的荧光灯都用镇流器限制灯管电流,镇流器不仅笨重,消耗硅钢片和铜,而且其功耗约占灯具总功耗的30%。若用图中所示的高频电源供给高发光效能的节能型荧光灯管,可以大大提高气体电离的效率,因而在同样的发光强度下,灯管电流比低频供电时小,并且发光没有闪烁感,同时还可即时启动。
该电路工作原理如下:当220V交流电接通时,VT1和VT2两器件电流的开通滞后时间和上升时间不可能完全一致,其中开通时间短的管子(假如VT2)电流上升得快,则变压器星号端感应高电位。于是通过磁通耦合,使VT2栅极电位也上升,VT2漏极电流进一步增大;而VT1栅极电位下降并趋向截止。随着VT2漏极电流增大,变压器磁路趋向饱和,磁通变化率d O/dt急剧减小,因而VT2栅极电压随之迅速降低,而VT1栅极电位上升,使VT2漏极电流减小,于是变压器一次绕组感应电动势反向。通过耦合,VT2栅极电压也反向,迫使VT2截止,VT1栅极电压上升而导通,完成一次换相,可以看出,利用变压器磁路饱和,电路可以连续振荡,振荡频率由变压器二次侧负裁电阻、高频扼流圈三和变压器漏感决定。
交流电源输入经整流和电容器C1滤波后的直流电压在Ri、R2和C2上分压,R2、C2两端电压同时加到两只功率MOSFET的栅极,其值略大于器件的开启电压UT值,以便在启动时VT1、VT2同时出现电流,再利用电路的自然不对称和正反馈作用引起振荡。
由于这类高频振荡电源摆脱了笨重的变压器和滤波器,所以十分轻便,制造也简单。这类电源的缺点是高频振荡会干扰电网,也会通过空间电磁辐射干扰通信,所以应注意屏蔽和交流电源输入端的滤波。
本电源有四E6H-CWZ1X路输出电压:±SV和±12V。开关器件VT1采用MTP5N40型功率MOSFET,其容量为4A,400V;通态电阻为1Q。SV组整流器采用肖特基管MBR1035,12V组整流器采用MVR805型快速恢复二极管。输出滤波电容采用高频电容器。
主电路由功率MOSFET管VT1和变压器T的一次绕组Wl、W2以及二极管WD2构成准推挽式电路,T的二次绕组W3、W4和W6、W7分别构成了±SV和12V两组电压源。控制电路的工作电源由高压晶体管VT2获得,VT2接成射极输出器的形式,其基极电位由12V稳压管VZ确定,而发射极接MC34060的电源端,同时接至变压器T的反馈绕组W3。当绕组中有感应电压而使二极管VD7导通时,可使VT2反向偏置。电容Cl,为软启动电容。刚接通电源时,反馈信号尚未出现,只有电阻R6和B组成的分压网络来控制死区时间,使导通脉冲占空比不超过45%。随着输出电压的建立,由+5V电压输出端取出反馈信号,经MC1723放大,4N27隔离后引入MC34060的PWM比较器,调制控制脉冲的占空比,使输出电压稳定在规定值上。
商频自激振荡电源。
图8-18所示为由功率MOSFET构成的用于节能型荧光灯电源的高频自激振荡器。以往老式的荧光灯都用镇流器限制灯管电流,镇流器不仅笨重,消耗硅钢片和铜,而且其功耗约占灯具总功耗的30%。若用图中所示的高频电源供给高发光效能的节能型荧光灯管,可以大大提高气体电离的效率,因而在同样的发光强度下,灯管电流比低频供电时小,并且发光没有闪烁感,同时还可即时启动。
该电路工作原理如下:当220V交流电接通时,VT1和VT2两器件电流的开通滞后时间和上升时间不可能完全一致,其中开通时间短的管子(假如VT2)电流上升得快,则变压器星号端感应高电位。于是通过磁通耦合,使VT2栅极电位也上升,VT2漏极电流进一步增大;而VT1栅极电位下降并趋向截止。随着VT2漏极电流增大,变压器磁路趋向饱和,磁通变化率d O/dt急剧减小,因而VT2栅极电压随之迅速降低,而VT1栅极电位上升,使VT2漏极电流减小,于是变压器一次绕组感应电动势反向。通过耦合,VT2栅极电压也反向,迫使VT2截止,VT1栅极电压上升而导通,完成一次换相,可以看出,利用变压器磁路饱和,电路可以连续振荡,振荡频率由变压器二次侧负裁电阻、高频扼流圈三和变压器漏感决定。
交流电源输入经整流和电容器C1滤波后的直流电压在Ri、R2和C2上分压,R2、C2两端电压同时加到两只功率MOSFET的栅极,其值略大于器件的开启电压UT值,以便在启动时VT1、VT2同时出现电流,再利用电路的自然不对称和正反馈作用引起振荡。
由于这类高频振荡电源摆脱了笨重的变压器和滤波器,所以十分轻便,制造也简单。这类电源的缺点是高频振荡会干扰电网,也会通过空间电磁辐射干扰通信,所以应注意屏蔽和交流电源输入端的滤波。
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