- 苦DUT有网络通信功能(如J185o、CAX、HX),应模拟实车条件下的网络通信2019/1/18 19:15:37 2019/1/18 19:15:37
- 测试应按以下步骡进行:KDZTR12B(1)确定DUT是完全正常的:苦DUT有网络通信功能(如J185o、CAX、HX),应模拟实车条件下的网络通信:具体的网络通信报文、总线利用率...[全文]
- 汽车电子、电气零部件的EMC测试 2019/1/17 20:41:03 2019/1/17 20:41:03
- 汽车电子、电气零部件的EMC测试JQ1aP-5V-F对于汽车电子、电气零部件EMC测试标准,同样有⒖0114犯、CIsPR乃、I~sO%39、SAEJ1I13等,这些标准同样对汽车...[全文]
- 电压跌落、短时中断和电压渐变的抗扰度测试目的2019/1/17 20:34:12 2019/1/17 20:34:12
- 电压跌落、短时中断和电压渐变的抗扰度测试目的电压跌落、短时中断是由电网、变电设施的故障或负荷突然出现大的变化所引起的。在某些JQ1a-5V-F情况下会出现两次或更多次连续的跌落或中...[全文]
- 辐射电磁场抗扰度测试方法2019/1/17 20:19:24 2019/1/17 20:19:24
- 辐射电磁场抗扰度测试方法JM1aN-TMP-DC24V测试时要用1kHz正弦波进行幅度调制,调制深度为⒛%,调制)。将来有可能再增加一项键控调频(欧共体标准已采用)`参见图B9(在...[全文]
- 立式被测设备的布置2019/1/16 20:26:37 2019/1/16 20:26:37
- 立式被测设备的布置如图B.3所示,具体要求如下:(1)机柜之间的I/O互连线应该自然放置,如果过长能够扎成sO~40cm的线束,就一定要扎;HCF4040M013TR...[全文]
- 晶振为什么不能放置在PCB边缘2019/1/15 20:38:40 2019/1/15 20:38:40
- 晶振为什么不能放置在PCB边缘【现象描述】ILC5061ALC31X某塑料外壳产品,带一根I/0电缆,在进行船运EMC标准规定的辐射发射测试时发现辐射超标,具体频点是...[全文]
- 在数/模混合电路的分界区域增加PCB工作地与金属外壳的互连点2019/1/15 20:26:40 2019/1/15 20:26:40
- 从以上分析可知,在数/模混合电路的分界区域增加PCB工作地与金属外壳的互连点。IDT79R3041-20J另外,在本案例产品的情况下,断开模拟侧PCB工作地与金属外壳的互连也会对解...[全文]
- 模拟电路区域存在I/0电缆2019/1/15 20:21:02 2019/1/15 20:21:02
- 模拟电路区域存在I/0电缆,yo电缆与参考接地板或金属外壳之间形成较低的阻抗(如150Ω),如图6.95所示。IDT74FCT3244AQ图6.95模拟电路区域存在I...[全文]
- 晶振内部电路产生RF电流2019/1/13 20:11:51 2019/1/13 20:11:51
- 晶振是一个辐射发射源。晶振内部电路产生RF电流,封装内部产生的RF电流可能很大,KA324ADTF以至于晶体的地引脚不能以很少的损耗充分地将这个很大的Ldj/d扌电流引到地平面,结果金属外壳变成...[全文]
- 用金属镊子短路一下CPU的复位信号2019/1/12 21:08:01 2019/1/12 21:08:01
- 做以下试验:LM4040BIM3-2.5+T(1)在如图6.13所示的PCB图中的A处加一个0.01uF的去耦电容,重新试验,还是复位。于是在A处将信号断开,在CPU处直接上拉。上...[全文]
- 高速时钟驱动芯片的负载通常较重2019/1/10 21:48:37 2019/1/10 21:48:37
- 在PCB图中,芯片的下面是一块电源平面,在电源平面的左边和右边分别接了0.1uF的去耦电容和10uF的滤波电容,然后经过磁珠FB5送到芯片的电源引脚Ⅴcc,分别是芯片的4、8、15脚和⒛脚。...[全文]
- 芯片电流引脚上磁珠与去耦电容的位置2019/1/10 21:46:19 2019/1/10 21:46:19
- 芯片电流引脚上磁珠与去耦电容的位置【现象描述】LFE2M35E-5FN256某产品PCB中有一时钟驱动芯片,在供电电源A5Ⅴ1靠近时钟驱动芯片电源处并联了10uF的滤...[全文]
- 去耦电容是克服产生尖峰噪声的一种方法2019/1/10 21:43:25 2019/1/10 21:43:25
- 但是,当状态发生变化时,会有一段时间Q3和Q4同时导通,这时在电源与地之间形成短暂的低阻抗,产生30~100n1A的尖峰电流[当门输出从低变为高时,LFE2-70SE5FN676C电源不仅提供短...[全文]
- 去耦也是克服物理的和时序约束的一种方法2019/1/10 21:19:50 2019/1/10 21:19:50
- 去耦也是克服物理的和时序约束的一种方法,它是通过在信号线和电源平面间提供一个低阻抗的电源来实现的。在频率升高到自谐振点之前,L186EB16随着频率的提高,去耦电容的阻抗会越来越低...[全文]
- LDO芯片前端增加的二极管并不能阻挡浪涌电流进人LDO2019/1/9 21:20:12 2019/1/9 21:20:12
- 基于以上分析,在BⅤsMPDJ6CA与LD0芯片之间增加一个二极管,来提高后级回路的耐压水平,图4.131所示为增加二极管后PCB实物图片。KA278RA05CTU增加二...[全文]
- 选用器件时一定要注意器件的特性2019/1/8 21:17:47 2019/1/8 21:17:47
- 从表中明显可以看出,随着电流的增加该器件的弧光电压值在减小。因此,G5967R91U在DC12Ⅴ端口较高等级的雷击保护场景,需要使用气体放电管来进行防护时,一定要注意弧光压问题,且一定要产品供应...[全文]
- 防雷器安装很有讲究2019/1/7 21:10:38 2019/1/7 21:10:38
- 防雷器安装很有讲究【现象描述】IDT6116LA120DM某大型室外工业设各,其电源入口的防雷要求是差模、共模娴kA(s/⒛灬电流波形)。为满足此要求,特意在电源口上...[全文]
- 电源输人端口电路设计2019/1/7 21:06:46 2019/1/7 21:06:46
- 首先看一下该产品的电源输人端口电路设计,如图4.84所示。该产品防浪涌等级较高,所以接口中并用气体放电管和压敏电阻。IDT6116LA100DB实际上,从该电路就可以明显地看出该保...[全文]
- PWM信号产生芯片采用KA3525A2019/1/3 10:29:06 2019/1/3 10:29:06
- PWM信号产生芯片采用KA3525A，它是一个典型的性能优良的开关电源控制芯片。其内部包括误差放大器、比较器、振荡器、触发器、输出逻辑控制电路和输出三极管等环节。KA3525A的1和2脚是内部运...[全文]
- 发现DB连接器的外壳没有与金属面板形成良好的连接2018/12/31 17:10:51 2018/12/31 17:10:51
- 在对某产品进行静电放电抗扰度试验时,当对某接口PCB(纯模拟电路)中的DB连接器外壳进行静电放电(-4kⅤ接触放电)时,与该PCB相连(通过母板)的PCB出现复位现象⊙后检查该板的DB连接器,发...[全文]
公网安备44030402000607
