基于以上分析,在BⅤ―sMPDJ6CA与LD0芯片之间增加一个二极管,来提高后级回路的耐压水平,图4.131所示为增加二极管后PCB实物图片。 KA278RA05CTU

   增加二极管后(通流为3A,反向耐压硐Ⅴ的肖特基二极管),通过实际测试,该GPS口能通过5次共模+3kA的s/⒛u的浪涌电流测试.

   但是,在进行负浪涌电流测试时,第一次浪涌就导致LDO芯片损坏。继续分析可知,进行正向浪涌能通过测试,这说明增加了单向二极管是有效的,而当进行反向浪涌电流测试时,LDO芯片前端增加的二极管并不能阻挡浪涌电流进人LDO,如图4,132所示。同时,图4.132中的TⅤS管是双向保护的器件,两个方向都是利用TⅤS反向雪崩击穿的原理进行工作的,虽然其雪崩击穿电压只有6Ⅴ,但是,当浪涌电流经过时,残压会高于6Ⅴ,并大于LD0所能承受的现值。因此,LD0芯片再一次损坏。

   图4132 负向浪涌损坏路径原理图

   综上所述,如果有一个器件能代替原理图4。I~12中的TⅤS管,并能获得更加低的残压,LD0就能得到保护。考虑到单向TⅤs管利用了正向二极管导通时极低的电压值,于是,选择了单向的TⅤs代替原来原理图4.132中的双向TⅤS管,更新后的原理图如图4,133所示。

单向TⅤS管的反向开启电压只有约0,7Ⅴ,可以预知,更改后的浪涌电流路径也如图4.133中箭头所示。

   完成电路及PCB修改后,通过再次进行浪涌测试验证,疋向、负向浪涌均能通过共模3kA的测试。