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实体属性设置2017/10/5 21:41:17
2017/10/5 21:41:17
Meshcontrolpammeters选项区用于网格划分参数AD1170设定。其中,Maximumclementsizc用于设置该实体中有限单元的最大尺寸。尺寸的选择很重要,需要反复调节网格划...[全文]
解算数据生成对话框2017/10/4 22:00:32
2017/10/4 22:00:32
最后,生成解算数据用于求解。单FAN7389MX击菜单栏命令Modcl→Create出解算数据生成对话框。AnalysisDatabase,弹出解算数据的文件后缀名为,op3,需要在Databa...[全文]
4个螺管线圈模型2017/10/3 17:47:00
2017/10/3 17:47:00
如果想对任何一个线圈的B1067参数进行修改,单击工具栏的按钮,选定线圈,然后双击要修改的线圈,线圈被高亮,单击鼠标右键,在弹出的快捷菜单中选择修改命令ModifyConductors→Solc...[全文]
超导线圈模型截面2017/10/3 17:44:16
2017/10/3 17:44:16
生成的线圈文件C1505导入该线圈,方法是单击菜单栏中的导体线圈导人命令Create9Conductor→Import,选择MRI3.∞nd文件,确定后即弹出小窗口显示已导入4个导体线圈,单击O...[全文]
Volume用于设置体特性参数2017/8/20 10:19:52
2017/8/20 10:19:52
Volume用于设置体特性参数,它可以用于其他Opera3D模块,例如直线电机模块中对运动部件指定速度等。SDS107-PRP1-F09-SN63-11永磁体的磁化方向和强度还可以通过其他方式设...[全文]
干法刻蚀又分为3种2017/5/28 14:46:17
2017/5/28 14:46:17
干法刻蚀又分为3种:物理性刻蚀、化学性刻蚀、物理化学性刻蚀。OP184ES-REEL物理性刻蚀是利用辉光放电将气体(如Ar气)电离成带正电的离子,再利用偏压将离子加速,溅击在被刻蚀物的表面而将被...[全文]
集成电路制造技术发展历程 2017/5/6 17:36:44
2017/5/6 17:36:44
1947年年末,美国的贝尔实验室(BellLab)发明了半导体点接触式晶体管,这是最早的半导体器件,随后出现了合金结晶体管,它们采用的半导体材料都是锗晶体。NAND01GW3B2BN6E合金法制...[全文]
TN型液晶显示器工作原理2016/10/15 16:46:33
2016/10/15 16:46:33
当施加电压时,从某一阈值电压⒕h起,液晶分子的长轴开始向电场方向倾斜。而且,AD7863AR-10当施加电压大约为⒕b的2倍时,大部分分子发生长轴与电场方向平行的再排列,⒇°旋光消失。这种情况与...[全文]
印刷涂敷法的模板及丝网2016/9/12 21:28:22
2016/9/12 21:28:22
在印刷涂敷法中,直接印刷法和非接触印刷法的共同之处是其原理与油墨印刷类似,主B1004NL要区别在于印刷焊料的介质,即用不同的介质材料来加工印刷图形:无刮动间隙的印刷是直接(接触式)印刷,采用刚...[全文]
二次产生的热电子2016/6/20 20:55:02
2016/6/20 20:55:02
二次产生的热电子是由衬底电流的二次碰撞离化产生的二次少子。漏端附HB04U15S12Q近的雪崩过程形成了衬底空穴电流,该空穴电流通过碰撞离化形成二次电子一空穴对,这些二次电子如同sHE一样会被注...[全文]
HTML View自定义格式实例2016/4/27 20:35:58
2016/4/27 20:35:58
HTMLView显示的一部分内容与原理图的DesignProperties属性有关,PCI1520IPDV第14章实例AT89C51DS18820.pdsprj项目的DesignProperti...[全文]
Proteus VSM分析及仿真工具2016/4/18 20:25:16
2016/4/18 20:25:16
本章主要介绍ProteusVSM中的电路分析与仿真,SchematicCapture系统提供交互式仿真和MMBTA92LT1G图表仿真两种仿真类型,Proteus8中的主要仿真工具包含Gener...[全文]
检验待分析其灵敏度的电路特性参数2016/3/14 21:05:14
2016/3/14 21:05:14
本实例中要求分析电路的增益和带宽对电路中电阻和电容的灵敏度,因此应该保证PSpice中已建立有计算增益和带宽这两个电路特性参数的函数,并能正常运行。采用第5章介绍的方法,HAT20...[全文]
非相干检测方法与系统2016/2/3 19:39:07
2016/2/3 19:39:07
内容概要按光学变换系统将被测量转换为光信息方式的不同,可将光电检测系统分为相干检测系统和非相干检测系统。HA2-2525-5被测量被携带于光载波的强度之中或加载于调制光载波的振幅、...[全文]
继电器的基本知识2015/12/21 18:27:22
2015/12/21 18:27:22
继电器是一种电控制器件。它DAC7512N/250有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路)之间的互动关系。它实际上是用低电压、小电流去控制高电压、大电流运作的一种“自动开关”。继电...[全文]
IGBT的种类有哪些?2015/11/22 16:06:25
2015/11/22 16:06:25
IGBT的种类有哪些?答:绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同?...[全文]
塑料制成的晶圆承载器2015/11/17 19:04:27
2015/11/17 19:04:27
塑料制成的晶圆承载器,用于湿DG212BDJ法清洗过程,推舟器(boatpuller):一种将载有晶圆的舟以固定速度推进或拉出炉子的机械装置BOE:参见缓冲氧化刻蚀。压焊点(bondingpad...[全文]
四氯化硅化学源2015/11/8 18:09:34
2015/11/8 18:09:34
四氯化硅化学源:外延层的淀积可选用一些不同的化学源(见图12.28)。在选择HC256硅的化学源上,淀积温度、薄膜质量、生长速率及与特殊系统的兼容性均是考虑的因素。其中,一个重要的工艺参数是淀积...[全文]
刻蚀表面层2015/11/4 21:44:04
2015/11/4 21:44:04
扩散加强硅烷他光刻胶(DESIRE)工艺是一种新颖的表面图形化工艺方法。23|i(见图10.29)。AD846AR与其他的多层光刻胶工艺类似,DESIRE也是平整晶圆表面,在表层形成图形。DES...[全文]
特征图形尺寸和缺陷尺寸2015/10/28 20:32:29
2015/10/28 20:32:29
更小的特征工艺尺寸从丽个主要方面使维持一个可以接受的晶圆电测良品率变得更困难。K2210604第一,较小图像的光刻比较困难(见6.4.4节和第8章)。第二,更小的图像对更小的缺陷承受力很...[全文]
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