IGBT的种类有哪些？

   答：绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。

   IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同？

   答：开关损耗主要包括关断时的损耗（关断损耗）和开通时的损耗（开通损耗）。在常温下，IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大，而对于IGBT，温度每增加100℃，损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关，电流越大，损耗越高。

   IGBT的电路图形符号怎么识别？

   答：绝缘栅双极晶体管的电路符号如图2- 19 (a)和(b)所示，由于大功率IGBT管内部C、E极间通常内接快恢复二极管FRD，故这类晶体管子的电路图形符号如图2-19 (c)和图2-19 (d)所示。IGBT有三个电极，其中G为栅极，C为集电极，E为发射极。

   什么是IGBT的集电极与发射极间的额定电压？

   答：集电极与发射极间额定电压是指IGBT管在截止状态下，其集电极与发射极之间能够承受的最大电压，通常采用字母U CFS来表示。

   什么是IGBT的栅极与发射极之间的额定电压？

   答：栅极与发射极之间的额定电压是指IGBT管栅极与发射极之间允许施加的最大电压，通常采用字母U GES来表示。UGEs电压通常为20V。