干法刻蚀又分为3种:物理性刻蚀、化学性刻蚀、物理化学性刻蚀。OP184ES-REEL物理性刻蚀是利用辉光放电将气体(如Ar气)电离成带正电的离子,再利用偏压将离子加速,溅击在被刻蚀物的表面而将被刻蚀物的原子击出―――溅射,该过程完全是物理上的能量转移,故称物理性刻蚀。物理性刻蚀包括溅射刻蚀和离子束铣蚀。溅射刻蚀是利用等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击,溅射出衬底原子,形成掩蔽膜图形。离子束铣蚀是利用高能离子束对衬底进行轰击,撞击出衬底原子,形成掩蔽膜图形。物理性刻蚀的特色在于具有非常好的方向性,可获得接近垂直的刻蚀轮廓。但是由于离子是全面均匀地溅射在芯片上,光刻胶和被刻蚀材料同时被刻蚀,造成刻蚀选择性低。同时,被击出的物质并非挥发性物质,这些物质容易二次沉积在被刻蚀薄膜的表面及侧壁。因此,在超大规模集成电路(ULSI)制作工艺中,很少使用完全物理方式的干法刻蚀方法。化学性刻蚀,或称为等离子体刻蚀(Pl灬ma EtclDil△g),是利用等离子体将刻蚀气体电离并形成带电离子、分子及反应活性很强的原子团,它们扩散到被刻蚀薄膜表面后与被刻蚀薄膜的表面原子反应生成具有挥发性的反应产物,并被真空设备抽离反应腔。囚这种反应完全利用化学反应,故称为化学性刻蚀。这种刻蚀方式与前面所讲的湿法刻蚀类似,只是反应物与产物的状态从液态改为气态,并以等离子体来加快反应速率。因此,化学性干法刻蚀具有与湿法刻蚀类似的优点与缺点,即具有较高的掩膜/底层的选择比及等向性。鉴于化学性刻蚀等向性的缺点,在半导体工艺中,只在刻蚀不需图形转移的步骤(如光刻胶的去除)中应用纯化学刻蚀。