单向晶闸管的管芯是来用掺杂技术在一片很薄的单晶硅片上制成的四层叠合半导体， D780BRZ四层的排列为Pl、Nl、P2、N2，如图2- 72 (a)所示。在四层半导体器件的每对P、N层之

间均形成一个PN结，共形成Jl、J2、J3三个PN结。

   从四个PN层中的Pl层引出一个电极，称为阳极A；从N2层引出一个电极，称为阴极K；从P2层引出一个电极，称为控制极G，这样就形成了一个由四个层、三个引出端组成的半导体器件，这个器件称为单向晶闸管。

   为了便于说明单向晶闸管的工作原理，我们可以把图2 - 72 (a)看成是由两个部分组成的，如图2 - 72 (b)所示。

   在图2- 72 (b)的左下部分正好是一个NPN型晶体管；右上部分则是一个PNP型晶体管。对于这样一种结构关系，我们可以用电路的形式来表示，如图2 - 72 (c)所示。