为了获得更高的输入电阻和便于制作集成电路，又开发出将栅极绝缘的另一种场效应管——绝缘栅场效应管， AD780AN其内部结构如图2 - 70 (b)所示，可以看出它与图2- 70 (a)结型场效应管结构主要不同处在于它的栅极是从二氧化硅上引出，栅极是与源、漏极缘的，绝缘栅场效应管也因此得名。

    绝缘栅(MOS)场效应管有耗尽型和增强型之分。当UGS =0时，源漏之间就存在导电沟道的，称为耗尽型场效应管；如果必须在I ucsl >o的情况下才存在导电沟道的，则称为增强型场效应管。因此绝缘栅场效应管有N沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道耗尽型、P沟道增强型四种类型。

   由于绝缘栅场效应管栅极是绝缘的，故输入电流几乎为零，输入电阻，一般在l012 Q以上，比结型场效应管要高几个数量级。但这也带来一些麻烦：由于栅极绝缘，栅漏极反向电流极小，栅漏结相当于一个具有非常大电阻的电容器，若有一把外壳没有接地的电烙铁，用手碰一下管脚，就能使栅漏结被感应充电，充电电压足以超过击穿电压，使管子被烧毁，所以，对于MOS场效应管要拿它的外壳，切勿拿它的管脚；存放管子时，必须将管脚拧在一起，或用金属环将所有管脚短路。不过，最近出现了在管内加有保护二极管的MOS场效应管，使用时可与结型场效应管一样方便。