饱和压降。对共发L091S471射极接法的晶体管来说，集电极发射极的饱和压降是指晶体管进入饱和状态后集电极与发射极之间的电压降。它的数值大小与晶体管的电流大小有关。

   一般对于功率相当或I(:M相同的锗管和硅管来讲，锗管的饱和压降比硅管要小。在同样的电源电压情况下锗管的动态范围大，效率高，这是锗管的一大优点。所以在低电压、大电流的功率放大电路宜用锗管。例如，用一节1. 5V干电池作电源的晶体管收

音机末级功放管就必须用锗管才能胜任，如果周硅管，则会由于饱和压降大使得输出功率太小。

   击穿电压。我们知道晶体管的常用击穿电压参数有以下三个。

   1) BV∞o，这是指发射极开路，集电极一基极间反向击穿电压。

   2) BVCBO，这是指基极开路，集电极一发射极间反向击穿电压。

   有时也用B Vc ER，这是指基极发射极串联电阻时，集电极一发射极击穿电压。

   3) BVEBo，这是指集电极开路，发射极一基极间反向击穿电压。

   一般同类型的硅管与锗管相比，硅管的前两个击穿电压都要比锗管高。硅管的B Va3c) -般在几十伏至几百伏，高至上千伏。锗管的BVCBo -般最高只能做到几十伏至百伏左右。所以在电源电压比较高的应用场合，最好选用硅管。但是B VEBO与上述情况有不同，由于绝大多数硅管采用平面扩散工艺，使得硅管的BⅥBO大多在5～7V之间。而锗低频管都采用合金工艺，其B VEBo-般可达到几十伏。锗高频管和开关管大多采用合金扩散工艺，其BVEBo

只有1V左右。在开关电路中，当发射极基极间的信号反峰电压较高时，应注意BⅥ㈤的数值是否满足要求。初学者往往以为硅管击穿电压高而忽视BⅥ舯的数值。另外，由于硅管的BV函电压大多在5～7V之间，又由于硅管的输入特性较陡直，呵以利用这一特性来代替5～7V的小功率稳压管。