人们把用锗单晶制成的晶体管称为锗晶体管（简称锗管），把用硅单晶制成的晶体管称为硅晶体管（简称硅管）。不论是锗管或硅管，L091S391它们的工作原理都是相同的。

   锗管和硅管都有PNP和NPN两种类型。如果从功能上分又有低频管、高频管、开关管等；从输出功率上分，又有小功率管和大功率管等。而不同类型的晶体管在特性上都有一定差异。

   锗管和硅管由于原材料不同和制造工艺的差别，使得这两大类晶体管在特性上也有较大的不同。下面分别从输入特性、饱和压降击穿电压、温度特性等方面说明它们特性上的差别以及这些特性对一般使用的影响。

   输入特眭。晶体管的输入特陛是指发射极一基极电压与基极电流之间的关系。图2 - 63(a)是典型锗管的输入特性曲线，图2- 63 (b)是典型硅管的输入特性曲线。

   比较图2 - 63 (a)和图2- 63 (b)不难看出：锗管输入电压(UBE)在0.2～0. 3V时，便有较大的输入基极电流，这时管子开始导通；而硅管的导通电压则约在0. 6～0. 7V。

   输入特性上导通电压的差异是锗管与硅管的最明显的标志。因此通过测量输入特性就能准确区分晶体管是锗管还是硅管。

   正是由于锗管和硅管的输入导通电压不同，所以在电路上同极性的锗管与硅管互换时，静态工作点电流必须重新调整。