反向截止区。当二极P4KE110管的两端加反向电压时，PN结呈现出非常大的电阻值，因此，流过二极管的电流非常小，二极管处于截止状态，特性曲线的这一段称为反向截止区，即图3 - 25中的OC段。

   这时P区和N区内只有少数载流子在PN结内所建电位差电场力的作用下通过，表现出一个与电压（在一定范围内）关系不大的反向饱和电流，再加上PN结表面的一些漏电流，合成为二极管的反向漏电流。

   这一漏电流在室温下，小功率锗二极管约为几百微安，小功率硅二极管约为几微安。二极管的反向漏电流随温度的升高而增大，一般温度每升高10℃大约就会增大一倍。由于锗二极管本来反向电流就比较大，所以在应用时要特别注意。