图3- 34中晶体管输出特性曲线上的区域划分及各部分工作分析。按照晶体管的工作条件，P4KE150A可以在曲线簇上画出几个限制工作的区域，以确定晶体管的允许工作范围。

   1)截止区。当工。=0时，就是共用的发射极开路的情况下，这时，这个电流是不受输入电流Ib控制的，所以，在曲线簇中，这条曲线以下称为截止区。

   当工=0时，相当于基极开路的情况，这时集电极的电流I。一ICEO，称为基极开路时的穿透电流。ICEO比ICB()要大得多。

   对于某些锗管来说，本来ICBO就不小，所以ICEO就成了不可忽视的电流，ICE()太大的管子质量不好。对于小功率管来说，可粗略地认为Ib -0这条曲线以下就是截止区。

   2)饱和区。当U。。减小到一定程度(U。时)。特性曲线簇中每一条曲线都向下弯曲，即I。迅速下降，每条曲线上出现一个转折点，如图中al、a2…，这些点可粗略地认为是U。b=0（即Uce =Ub，）的点，把曲线簇中每条曲线的这种转折点连成的曲线称为临界饱和线（图3-35中左边的虚线），这条虚线以左至纵坐标轴之间为饱和区。在饱和区中Ib对J。的控制作用很小，基本上没有什么电流放大作用。

   3)最大允许集电极电流ICM限制区。从晶体管手册的参数表中可以查到极限参数ICM的值，例如，3AG20的ICM =lOmA。

   晶体管的工作电流不可以超过这个极限值，所以把曲线簇图上在这个限值(jcM)以上的区域称为最大允许集电极电流限制区。