集电极最大允许耗散功率PCM限制区。从晶体管手册的参数表中可以查到板限参数PCM的值(例如，3AG25的PCM一50MW)，它就是集电极上最大允许的耗散功率。

   晶体管工作在放大状态时， P4KE15A发射结的正向电压较小，集电结反向电压较大，但通过两个结的电流近似相等，因此，晶体管的消耗功率主要是指消耗在集电结上的功率，用Pc表示。

   会在晶体管中转化为热能而导致结温上升，PN结的最高允许温度硅管约为150℃、锗管约为70℃。当工作的温度超过这个限度时管子的性能就会变差，而且容易损坏。因此，PN结的最高工作温度便决定了晶体管集电极耗散功率的最大允许值PCM。

   当从手册中查出了PCM值后，就可以求出不同集电极电流J。所允许的最高电压值Uce，例如，PCM一50MW时可求出表3-14的数值。

     把上表中的对应点画在曲线族上，就会连接出一条最大功耗线。这条线的右边称为集电极最大允许耗散功率限制区，晶体管的工作不允许进入这个区域，以免过热而损坏。

   对于大功率晶体管，如果外加散热片使散热面积增大或强制冷却，都可以大大提高PCM的值，使最大功耗线向右上方移动。

  安全工作区。由截止区、饱和区、最大允许集电极电流ICM限制区、击穿区和集电极最大允许耗散功率PCM限制区所围成的内部区域称为安全工作区，也称放大区。在此区内由于Uce对J。的影响较小，每条特性曲线在此区内较平坦。在此区内j。增加一个数量(如20)uA)，特性曲线向上移动一条，显示了Ib对j。有控制作用。共发射极连接的晶体管，只要它的J。值与U。。值不超出这个区域，就能得到期望的放大作用。所以，利用安全工作区就

能直观而确切地选定I作点和放大范围。