晶体管共发射极电路的输出特性。图3- 34以PNP型锗晶体管（以3AG25为例）P4KE150的共发射极输出特性曲线簇。我们以其中的一条J“=70pA时的曲线A进行分析。

   图3 - 34晶体管的输出特性曲线

   为了便于分析，我们将曲线A单独画出，如图3 - 35所示。在该曲线中，当U。=0时，注入基区的空穴不能进入集电区形成集电极电流，所以L =0；当Uce >0时，注入基区的空穴几乎与Uce成比例地增大，形成曲线上的oa段；当Uce增大超过Ua值时(小功率锗管为0.2～0. 3V，硅管为0.6～0. 8V)．集电结的电场已有足够的力量把输送过来的空穴全部拉人集电区。因此，Ue。在一定范围内增大时并不大影响Ie的变化，这时的j。与Uoe几乎无关，所以曲线近似于一条水平直线，即特性曲线上的ab段。

   当ce继续增大超过Ub  (B Ve)值时，就会产生击穿现象，它实质上是PN结的击穿，这时集电极电流J。急剧增大。