将Sn02微粒尺寸在lOOnm以下的薄膜称为超微粒薄膜。在高频下使用，反应室K2019-01中的氧气形成等离子体，同时蒸发金属锡，使锡蒸气与氧等离子体作用生成Sri02微粒，淀积在基片上形成薄膜。或用CVD方法将02和含金属化合物通入反应室，形成等离子体沉积Sn02薄膜。超微粒薄膜型Srl()2气敏元件结构如图7-10所示。基片用N型硅，左边是气体敏感元件部分，它是由半导体平面工艺制成的加热电阻器的电极、Sn02超微粒薄膜等部分组成；右边是一个用来测量气敏元件工作温度的PN结热敏元件；在加热电阻器与测量电极之间有一层S1()2绝缘层。该气敏元件将工作温度降低，如图7-11所示。超微粒Sn02薄膜具有较大的表面积和很高的表面活性，在较低温度下就能与吸附气体发生化学吸附，因而其功

耗小，灵敏度高。并且这种元件以硅材料为基片，与半导体集成电路的制作有较好的工艺相容性，可与配套电路制作在同一基片，便于推广应用。而且选择性能好，灵敏度高，响应恢复时间快。