其地址线和数据线的连接和扩展片外ROM时相同，并且两者是

公用的，只是读写选通信号不同。HEF4053BT现在应采用控制线RD和WR，而不是扩展片外ROM时的PSEN。

   RAM芯片有静态和动态之分，在一般微机控制系统中，由于容量不大，常用静态RAM。

   RAM的输入控制，一般包括片选端CS和读写控制端。读写控制有双输入的，则使用单片机的RD和WR分别与片外RAM的两个读写输入端相接即可；有的只用一个输入作读写控制，则选用RD或WR之一与片外RAM的读写输入端相接即可。如对2128RAM，读写控制端为WE，当WE为1时，为读操作；当WE为O时，为写操作，则可用WE线与之相连即可完成读写控制。

    图3-19是外扩1片6116静态RAM的连接图。6116的容量是2Kx8位。片选信号CS用译码法产生，二一四译码器尚有3个输出端没有用，需要时还可以再外扩3片6116，使外扩的容量达到8KB。如图3-19所示6116芯片的基本地址范围是8000～87FFH，重叠地址范围为8000H～BFFFH。6116的OE为读选通端，WE为写选通端。

   当CS =0，WE=1，OE =0时，为RAM读操作；当CS=O，WE =0，OE=1时，为RAM写操作。故用单片机的RD、WR分别和存储器芯片的OE、WE相连即可完成读写控制。

   8051系统对于外部RAM地址没有什么特别的要求，即不要求必须包含什么特别的地址，完全可以由系统设计人员来安排。一个MCS-51单片机系统，也可以经过适当的连接，使得外部程序存储器及数据存储器合并为一个公共的外部存储器，即存放程序也存放数据，现在有些单片机开发系统就是这样处理的。但这样连接后，寻址范围就只有64KB，而不是2x4KB了。