SRAM采用触发器电路构成一个二进制数的基本存储位元，这种触发器一般由6个MOS管组成，如图2-4所示。Tl和T2交叉耦合构成RS触发器，用来存储信息。T3和T4分别是Tl和T2的负载管，T5、T6与T7、T8用作开关管，分别进行X行地址和Y行地址选择控制。

   向位元中写入信息采用双边写入的原理。 AD53504-02写入时，由X线共同确定某一单元，要写入的数据从位线D和西双边送入。例如，若要写入的信息是“1”，即D=l，西=0，则X、Y地址选择线选中该单元后，T5～T8都是导通的传输门，因此D线上的高电平送到了T2管的栅极，使其导通，同时，西线的低电平送到Tl管的栅极，使其

截止，并且都依靠触发器内部反馈保持稳定。这样，不论该电路以前处于什么状态，A端为高电平且B端为低电平，达到了写“1”的目的。写入O信息的过程与此类似。

   图2-4六管静态RAM基本存储电路

   读出位元的内容采用单边读出的原理。由X行地址选择线和Y行地址选择线共同选中某一单元，使T5～T8处于导通，此时触发器的状态经过T6和T8及读出放大后传送到读出端，读出信息。