赶与UGE之间的关系称为转移特性，与MOSFET转移特性类似。

     以UGE为参考变量时，fc与UCE之间的关系称为输出特性（伏安特性），绝缘栅双极晶体管的输出特性分为三个区域：VSC8115XYA-05-T正向阻断区、有源区和饱和区。分别与三极管的截止区、放大区和饱和区相对应（UCE<O时，绝缘栅双极晶体管为反向阻断工作状态）。

     缘栅双极晶闸管的主要参数如下：

     ①最大集一射极间电压UCES：由内部PNP晶体管的击穿电压确定。

     ②最大集电极电流：包括额定直流电流配和Ims脉宽最大电流/CP。

     ③最大集电极功耗PCM：在正常工作温度下允许的最大功耗。

     ④开启电压UGE(th)绝缘栅双极晶体管能实现电导调制，而导通的最低栅一射电压随温

度的升高而略有下降，在+25℃时，UGE(th)的值一般为2～6V。

   IGBT的特性随栅极驱动条件的变化而变化，就像双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。

     IGBT管的驱动电路

     由于IGBT的栅一源间、栅一射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小，使IGBT开通的驱动电压一般为15～20V，关断时施加一定幅值的负驱动电压(一般取-5～-15V)育利于减小关断时间和关断损耗，另外，在栅极串联一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡。该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。因此，为了使IGBT工作在最佳状态，通常采用专用的驱动集成电路。

     常用的驱动集成电路有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系歹0（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。

     驱动集成电路内部具有饱和检测和保护电路，当发生过电流时能快速响应，并快速关断IGBT，并向外部电路给出故障信号。

     M57962L输出的正驱动电压均为+15V左右，负驱动电压为-10V。M57962L驱动IGBT的应用电路如图8-28所示。