绝缘栅双极晶体管

     绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT或IGT）综合了晶体管和场效应晶体管的优点。

     (1) IGBT管的外形

     根据封装的不同，IGBT -般为模压树脂密封的三端单体封装型， VS-60EPU06PBF到小型表面贴装都已形成系列。IGBT管有三个电极：栅极G、集电极C和发射极E。常见的绝缘栅双极晶体管实物外形如图8-25所示。

    图8-25常见IGBT管外形

    (2) IGBT管的结构和特性

   ①IGBT管内部结构断面示意图、等效电路及图形符号如图8-26所示。

   图8-26  内部结构断面示意图、等效电路及图形符号

   ②IGBT管的转移特性和输出特陛曲线如图8-27所示。

   (a)转移特性曲线    (b)输出特性曲线

   图8-27绝缘栅双极晶体管的转移特性曲线和输出特性曲线