静电容：等效电路中与串联臂并联的电容通常用Co表示（如图9-3所示）。

    负载谐振频率魄）：W78M32VP-120BM在规定条件下，晶体与一个负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。

    动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻，用Ri表示。

    负载诣振电阻：在谐振时呈现的等效电阻，用RL表示。在通常情况下，RL=RI

(1+CO/C/)/2。

    激励电平（功率）：晶振工作时消耗的有赦功率。在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励（容易振到高次谐波上），也不能欠激励（不容易起振）。常见的激励电平有2mW、ImW、0.5mW、0.2mW、O.lmW、50vw、20yW、lOLr,W、1Lr,W、0.1 Lr,W等。

     选择晶体时至少应考虑负载谐振频率、负载电容、激励电平、温度频差及长期稳定性等情况。

    频率精度和频率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，故对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从10-4～10-10量级不等。稳定度从士l～士lOOppm不等。要根据具体的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振，其价格不同。要求越高，价格也越贵，一般只要满足要求即可。

   晶振主要看工作频率及体积大小上的分类，其他性能差别不太，只要频率和体积符合要求，其中很多晶振元件是可以互换使用的。