导电沟道形成后加上UDS，将产生fD。在Uos和UDS共同作用下的综合电位梯度，使得沟道厚度不均匀，UCC3818ADR靠近漏极一端的沟道最薄，如图8-8 (c)所示。

    当UDS较小时，沟道厚度不均匀现象对沟道影响较小，为随UDS上升迅速地呈线性增大。

     当UDS达到使UGD=UGS- UDS= UT时，漏极一端的沟道厚度为零，这种情况称为预夹断。

     当UDS继续增加，使UGS-UDS<UT时，形成一夹断区，如图8—8(d)所示。UDS增加部分主要降落在夹断区，形成较强的电场，电子仍能克服夹断区阻力到达漏极。但导电沟道的电场基本不随UDS增加而增加，南趋于饱和，仅取决于UGS。

    增强型绝缘栅型场效应管工作原理特点归纳如下。

     ①当UCS< U时，没有导电沟道，/D-O。

     ②当Uos≥昕时，导电沟道形成，/D#O。

     ③当UGS较小，导电沟道预夹断前，而与UDS呈线性关系。

     ④当UCS增加到预夹断出现后，南趋于饱和。

     耗尽型绝缘栅型场效应管的结构、原理与特性

     N沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图和图形符号如图8-9所示。

     图8-9耗尽型绝缘栅型场效应管结构、符号

     耗尽型的MOS场效应管在制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，因此，即使栅极不加电压（Ucs=0），由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够多的负电荷，彤成“反型层”，从而产生N型的导电沟道。此时，给栅极加上正电压( Uos>0)，沟道变宽，布增大；反之，给栅极加上负电压(UGS<O)时，道变窄，fD减小。当栅极负电压大到一定数值UP（夹断电压）时，会使反型层消失，/D=O。