当MOS管工作在恒流区时，UCC3913DTR管子的耗散功率主要消耗在漏极一端的夹断区上，并且由于漏极所连接的区域（称为漏区）不大，无法散发很多的热量，所以MOS管不能承受较大功率。VMOS管从结构上较好地解决了散热问题，故可制成大功率管，图8-10所示为N沟道增强型VMOS管的结构示意图。

    图8-10 N沟道增强型VMOS管的结构示意图

     VMOS以高掺杂N+区为衬底，上面外延低掺杂N区，共同作为漏区，引出漏极。在外延层N区上又形成一层P区，并在P区之上制成高掺杂的N+区。从上面俯视VMOS管P区与N+区，可以看到它们均为环状区，所引出的电极为源极。中间是腐蚀而成的V型槽，其上生长一层绝缘层，并覆盖一层金属，作为栅极。VMOS管因存在V型槽而得名。

   在栅一源电压Ucs大于开启电压UT时，在P区靠近V型槽氧化层表面所形成的反型层与下边N区相接，形成垂直的导电沟道，见图8-10所标注。当漏一源间外加正电压时，自由电子将沿沟道从源极流向N型外延层、N+区衬底到漏极，形成从漏极到源极的电流fD。

   VMOS管的漏区散热面积大，便于安装散热器，耗散功率最大可达千瓦以上；此外，其漏一源击穿电压高，上限工作频率高，而且当漏极电流大于某值（如500mA）时，fD与Ucs基本呈线性关系。

     上述各类型场效应管以N沟道为例分析，应注意的是各类场效应管都有N沟道和P沟道。P沟道MOS场效应簪也可分为增强型和耗尽型两种，它与N沟道场效应管的原理相同，只是在使用时，Ucs、UDS的极性与N沟道相反。

     应当指出，大部分MOS管衬底与源极相连，如果MOS管的衬底不与源极相连，则衬一源之间电压UBS必须保证衬一源间的PN结反向偏置，因此，N沟道管的UBS应小于零，而P沟道管的UBS应大于零。此时导电沟道宽度将受UCS和UBS的双重控制，UBS使开启电压或夹断电压的数值增大。比较而言，N沟道管受UBS的影响更大些。