当UoS=O时，如图8-8 (a)所示。UCC3818ADR漏极与源极之间没有原始的导电沟道，漏极电流/D=O。这是因为当UCS=O时，漏极和衬底及源极之间形成了两个反向串联的PN结，当UDS加正向电压时，漏极与衬底之间PN结反向偏置的缘故。

     当Ucs>0时，如图8-8 (b)所示。栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层。当UGS增大到一定程度时，绝缘体和P型衬底的交界面附近积累了较多的电子，形成了N型薄层，称为N型反型层。反型层使漏极与源极之间成为一条由电子构成的导电沟道。当加上漏一源电压UDS之后，就会有电流fD流过沟遒。通常将刚刚出现漏极电流fD时所对应的栅一源电压称为开启电压，用UCS(th)表示

   当UGS> UC。(th)时，UGS增大，电场增强，沟道变宽，沟道电阻减小，fD增大；反之，UGS减小，沟道变窄，沟道电阻增大，fD减小。所以改变Uos的大小，就可以控制沟道电阻的大小，从而控制电流的大小。

   当N沟道增强型MOS管的UGS< UCS(th)时，反型层（导电沟道）就会消失，如/D=O;因此，只有当Uos≥UaS(th)时，才能形成导电沟道，并产生电流fD。

   这种场效应管在零偏置时，D、S极不导电，当UGS> UGS(m)时，UGS增大、沟道电阻减小、导电性能增强的特性称为增强型特性。